第2章光电检测器件工作原理及特性2.1光电检测器件的物理基础一.ppt

* 第2章 光电检测器件工作原理及特性 2.1 光电检测器件的物理基础 一、光电检测中的基础知识 二、半导体基础知识 光电检测中的基础知识 1. 辐射度学和光度学基本概念 1) 辐射能和光能 辐射能：以辐射形式发射、传播或接收的能量称为辐（射） 能，用符号Qe 表示，其计量单位为焦耳（J）。 光能：光通量在可见光范围内对时间的积分，以Qv表示，其 计量单位为流明秒（lm·s）。 辐射度学：研究各种电磁辐射的传播和量度 光度学：仅可见光波的传播和量度，必须考虑人眼的响应，包 含了生理因素 辐射功率是单位时间内通过某一截面的辐射能，以符号 表示， 其计量单位为瓦（W），即 为了从数量上描述电磁辐射对 视觉的刺激强度，引入光通量 定义： 对光通量： 其中：C——比例系数，683 lm/W， ——视见函数，描述人眼对各种波长辐射能的相对敏感度， 即辐射通量. 2) 辐射功率（或称辐射通量）和光通量 辐射出射度：面辐射源单位面积上辐射的辐射通量，即 光出射度：面光源从单位面积上辐射的光通量，即 3）辐射出(射)度和光出(射)度 发光强度的单位是坎德拉（candela），简称为坎[cd]。1979年第十六届国际计量大会通过决议，将坎德拉重新定义为：在给定方向上能发射540×1012Hz的单色辐射源，在此方向上的辐强度为（1/683）W/sr，其发光强度定义为一个坎德拉[cd]。 点光源的发光强度： 对点光源在给定方向的立体角元dΩ内发射的辐通量dΦe，与该方向立体角元dΩ之比定义为点光源在该方向的辐(射)强度Ie，即 dS dA θ N 4) 辐(射)强度和发光强度 一般点光源是各向异性的，其发光强度分布随方向而异。 光源表面某一点处的面元在给定方向上的辐强度除以该面元在垂直于给定方向平面上的正投影面积，称为辐射亮度Le，即 对可见光，亮度Lv 定义为光源表面某一点处的面元在给定方向上的发光强度除以该面元在垂直给定方向平面上的正投影面积，即 Lv 的计量单位是坎德拉每平方米[cd／m2]。 5） 辐(射)亮度和亮度 式中，为所给方向与面元法线之间的夹角。辐亮度Le的计量单位为瓦（特）每球面度平方米[W／（sr·m2 ）]。 辐射照度表示每单位面积接受的辐射通量，即： 无需考虑dS所接受的辐射通量的方向，与dS的取向无关。单位：W/m2。 6) 辐[射]照度与光照度 单位：lx(勒克斯）。1lx=1lm/m2。 入射到单位面积上的光通量为光照度，即： lx Ev 光照度 W/m2 Ee 辐射照度 cd/m2 Lv 光亮度 W/sr·m2 Le 辐射亮度 lm/m2 Mv 光出射度 W/m2 Me 辐射出射度 cd Iv 发光强度 W/sr Ie 辐射强度 lm Фv 光功率 (光通量) W Фe 辐射功率 (辐射通量) lm·s Qv 光能 J Qe 辐射能 单位 定义 符号 名称 单位 定义 符号 名称 光度系统参量 辐射度系统参量 辐射度系统参量和光度系统参量 2. 半导体基础知识 原子的电子壳层交叠 电子的共有化 能带 3s 3s 3s 2p 2p 2p 原子能级 允带 允带 允带 禁带 禁带 原子中的电子轨道 Ev Ee 价带 禁带 导带 本征半导体 Ev Ec Ed 施主能级 ΔEd N型半导体 Ec ΔEa Ea受主能级 Ev P型半导体 杂质吸收 本征吸收 当半导体材料的局部位置（如表面）收到光照时，使得局部位置的光生载流子浓度比平均浓度高，此时电子会从浓度高的点向浓度低的点运动，称为扩散。扩散有一定的方向，可形成电流——扩散电流。 （2-1） 其中：Dn、Dp为电子和空穴的扩散系数。 （2-2） 1) 载流子的扩散 扩散电流密度JD：在扩散过程中，流过单位面积的电流。 E 2）载流子的漂移 根据欧姆定律，沿x方向： J的大小与载流子浓度和载流子沿电场的漂移速 度成正比，对N型半导体： (2-3) 而 则 (2-4) (2-5) (2-6) 联立（2-3）、（2-6）得： 同理，对P型半导体有： （2-8） （2-7） 则漂移产生的电子电流密度和空穴电流密度为： （2-9） （2-10） 当扩散和漂移同时存在时，总的电子电流密度和空穴电流密度为： （2-11） （2-12） 总电流密度： （2-13） 1. 光电导效应 光电效应：物质受到光辐射后，其电学性质发生了变化的现象。 光电效应 外光电效应：物质受到光辐射作用后，产生电