120232第六组版图设计.docVIP

第三章、版图设计 一、光刻步骤 图形的加工是通过光刻和刻蚀工艺完成的，光刻和刻蚀是集成电路加工过程中非常重要的工序，集成电路能否持续地遵从摩尔定律向前发展，很大程度上决定于光刻和刻蚀工艺能否不断实现更小的线条图形。 光刻和刻蚀的作用就是把设计好的集成电路版图上的图形复制到硅片上。 1.清洗 （1）煮硫酸：向烧杯中倒入硫酸并加入少量过氧化氢（双氧水），煮至沸腾即可。 （2）煮王水：向烧杯中倒入盐酸：硝酸=3：1，煮至颜色变白后冲去离?子水，在这步操作中间时，打开去离子水加热开关加热去离子水。 （3）冲离子水：5遍冷离子水+10遍热离子水+5遍冷离子水。 （4）烘干：放入烤箱烘10’或在扩散炉口烘2-3’。 2.氧化 氧化使?用右扩散炉的下炉管，采?用干氧和湿氧结合的工艺。 操作步骤如下： （1）在清洗片子时同时打开氧化扩散炉，设定好氧化温度，进行升温??一般一个小时）。 （2）打开水浴温度控制，水浴温度为95摄氏度。 （3）炉温达到设定温度并稳定后，将烘好的片子送入炉管的恒温区。（推石英舟进炉时，玻璃框距炉框10公分） （4）按氧化扩散炉使用方法开启，设定好时间，进行氧化。 氧化温度：T=1180摄?氏度 氧化时间：t=10’(干氧) +40’（湿氧）+10’（干氧） 氧?气流量: 2-3L/min 注意事项： （1）进?行干氧氧化和湿氧氧化转换时遵循先开后关的原则。 （2）氧化过程中及时观测氧气流量。 （3）氧化完成后得到的氧化硅厚度在6500-7000埃，颜?色为紫罗兰色到绿色之间。 3.光刻?—光刻扩硼窗口 （1）甩胶 （2）前烘（t=10’,T=80摄?氏度） （3）曝光（t=2.5s） （4）显影（环己烷，t=2.5s） （5）定影（乙酸丁酯，t=1s） （6）坚膜（t=30’,T=120摄氏度） （7）腐蚀（T=45摄氏度，时间以图形窗口无残留氧化层为准） （8）去胶 4.清洗（操作同1） 5.硼预扩 硼预扩采用右扩散炉上管，片倒扣在源?片上，推石英舟进扩散炉管以及将石英舟拉出炉管时的速度要很慢。 温度：T=910摄?氏度 时间：t=20’ ?气体流量：氮气为2L/min 氧气为0.5L/min 按预扩条件设好扩散炉的温度，气体流量后进?行扩散，注意扩散过程中观测气体流量。 6.硼主扩 硼主扩采用右扩散炉下管 温度：T=1140摄氏度 时间：t=5’(干氧) +10’（湿氧）+15’（干氧） 气体流量：氧气为1.5L/min 按主扩条件设好扩散炉的温度，气体流量后进行扩散，注意扩散过程中观测气体流量。 7.光刻二—光刻扩磷窗口 操作同3，但在曝光前需要依片子和光刻版上的图形和对准标记对版 8.清洗（操作同1） 9.扩磷 扩磷采用左扩散炉上管，硅片倒扣在源片上，进出炉管时推拉速度要很慢。 温度：T=1050摄氏度 时间：t=45’ 气体流量：氮气为0.9L/min 氧气为0.2L/min 按预扩条件设好扩散炉的温度，气体流量后进行扩散，注意扩散过程中观测气体流量。 10.扩磷再分布 再分布采用左扩散炉上管 温度：T=1050摄氏度 时间：t=15’ 气体流量：氧气为0.9-1L/min 在上一步的基础上直接调整工艺条件，不用再讲片子去除再送入炉管。 11.光刻三—光刻引线孔 操作同7，注意对版。 12.清洗（操作同1） 13.真空蒸发Al金属膜 将真空镀膜机的操作规程进行。 真空镀铝完成后，金属Al的厚度约为1um。 真空度：0.0038帕 衬底温度：200摄氏度（显示250摄氏度） 时间：十几秒左右 14.光刻四—光刻电极图形 操作同7，注意对版。 15.腐蚀金属Al 腐蚀液：氢氧化钾：铁氰化钾：水=1.2克：5克：100毫升 时间：以图形边沿清洗为准。 16.去胶清洗 用负胶去膜剂浸泡片子约15分钟，用丙酮面擦净胶膜，然后用去离子水清洗若干次。 17.合金 合金采用左扩散炉下管 温度：T=320摄氏度 时间：t=10’ 气体流量：氮气为2L/min 氧气为0.5L/min 目前的光刻主要是光学光刻，是把掩模版上的图形通过以下几个步骤转移到硅片上的。 甩胶——在硅片表面均匀涂覆一层光刻胶。 曝光——把涂好胶的硅片放在掩模版下，经过光照后，没有被光照的部分容易被去掉，光照的部分则发生聚合反应，变得更加坚固，不易去掉。 显影——通过化学或物理方法把没曝光的胶去掉。 刻蚀——把没有光刻保护的那部分去掉。 去胶——最后去掉残留在硅片上的所有的光刻胶。 过程如下图所示： 二、横向参数及版图设计 1.横向参数： 最小光刻间距为3um； 单元发射极条宽度Se=10um，长度le=150um，数目n = 11个； 单元发射极引线孔宽度为10um,长度为130um； 基极引线孔宽度为10um，长度为150um； 发射极镍铬薄膜的宽度为