pn结杂质浓度分布的测量材料.docxVIP

2015年5月24日 近代物理实验-pn结杂质浓度分布的测量 May 24，2015 PAGE \* MERGEFORMAT10 pn结杂质浓度分布的测量 摘 要：将锁相放大器用于电容—电压法测量P+N结杂质浓度，利用PN结的电容CT与反向偏压VR之间的关系表达式通过作图法和相关计算得出某一PN结的接触电势差VD以及浅杂质端的杂质浓度ND，研究了具有不同正电阻的PN结在零偏压下位相角的变化，表明了在正向电阻较小的情况下，位相角变化就越大，而随着正向电阻的增大，位相角变化就变得不那么明显。另外，本文还探索了标准电容和PN结电容与位相角之间的关系，得出了对于标准电容，其位相角大小几乎不随电容值的变化而变化，而对于不同偏压下PN的电容，在零偏压下，PN结电容最大，势垒宽度最小，电阻也最小，这时候位相角变化最快；而随着偏压的增大，PN结电容减小，势垒宽度增大，电阻也相应地增大，这时候位相角变化???不那么明显了。 关键词：锁相放大器；PN结；反向偏压；位相角；电容值 引言 在半导体器件的设计和制造过程中，如何控制半导体内部的杂质浓度分布，从而达到对器件电学性能的要求，是半导体技术中的一个重要问题，因此对杂质浓度分布的测量，也就成为半导体材料和器件的基本测量之一。而电容—电压法由于具有独特的优点，比如简单快速，又不破坏样品，使得其成为测量P—N结杂质浓度分布中较常用的方法之一，但是应该指出，这种方法仅能反映P—N结轻掺杂一边的杂质分布。另外一方面，锁相放大器（Lock-In Amplifier，简写为LIA）是检测淹没在噪声中微弱信号的仪器。它可用于测量交流信号的幅度和位相，有极强的抑制干扰和噪声的能力，极高的灵敏度，可检测毫微伏量级的微弱信号。自1962年第一台锁相放大器商品问世以来，锁相放大器有了迅速发展，性能指标有了很大提高，现已被广泛应用于科学技术的很多领域。将锁相放大器用于电容—电压法测量PN结杂质浓度分布中是其应用的一个很好实例，可以比较好地提高精度，而且也简单可行。 P-N结是由P型和N型半导体“接触”形成的，交界之处的杂质浓度可以是突变的或是缓慢的，在结的界面处形成势垒区，也称空间电荷区。P-N结外加电压时，势垒区的空间电荷数量将随外加电压变化，与电容器的作用相同，这种由势垒区电荷变化引起的电容称势垒电容。另外，P—N结加正向偏压时，P区和N区的空穴和电子各自向的对方扩散，并能在对方（扩散区）形成一定的电荷积累，积累电荷的多少也随外加电压而变化，称为扩散电容。所以，P-N结的电容与一般电容不同，不是恒定不变的，要随外加电压的变化而变化。 本实验在掌握锁相放大器的原理和使用方法的基础上，在反向偏压下（这时候以势垒电容为主）改变偏压大小测量同一个pn结的电容和位相角，以及在零偏压下测量不同pn结的电容和位相角，通过前者P+-N结电容-电压（C-V）的特性曲线测量了N区的杂质分布，通过后者研究了PN结的正向电阻R与位相角差之间的关系，并结合两者之间的相关数据探讨了电容Cx与位相角?之间的关系。 实验原理 P-N结交界面的势垒区的空间电荷区，平衡时，正、负电荷总量相等，势垒宽度W=xn+xp一定，有一内建电场，电压为VD。当外加正向电压为VF时，势垒区的电压降为VD-VF，势垒宽度变窄，空间电荷总量减少，外加反向偏压时，因与内建电压同向，势垒总电压升高为VD+VR，势垒宽度W增大，如图1(a)(b)(c)所示。一般说来，在反向偏压或小的正向偏压下，P—N结以势垒电容为主，只在大的正向偏压时才以扩散电容为主。本文主要探讨的是在反向偏压下的P+-N结的相关特性关系。 图1. 不同偏压状态下pn结的情况 以上是定性分析，要求出外加电压与势垒宽度W及结电容的关系，需要在空间电荷区范围内求解泊松方程，对于单突变结，设NA?ND，根据NAxp=NDxn，则xn?xp，空间电荷几乎全部在低掺杂区一边，即W≈xn，根据求解泊松方程，可以得到： W=(2εε0qVD+VRND+NANDNA) （1） 又因为 W=xp+xn=QqA(ND+NANDNA) （2） 由（1），（2）两式可得势垒电容CT为： CT=dQdVR=Aqεε02NANDNA+ND1VD+VR1/2 （3） 假定NA?ND，则有 CT=A(qεε02NDVD+VR)1/2 （4）W=(2εε0q?VD+VRND)1/2 （5） （4）式就是反向偏置（或正向偏置较小时，VD-VF0）时，单边突变