模拟电子技术3章技术总结.pptVIP

第3章 常见实用单元电路 3.1分压式射极偏置放大电路 3.2差动放大电路 3.3功率放大电路 3.4调谐放大电路 3.5电流源电路 3.1 分压式射极偏置放大电路 3.1.1 静态工作点稳定的必要性 电路的静态工作点不但决定了电路是否会产生失真，而且还影响着电压放大倍数、输入电阻等动态参数。实际上，电源电压的波动、元件的老化以及温度变化所引起的三极管参数的变化，都会造成静态工作点的不稳定，影响放大性能，有时甚至使电路无法正常工作。在引起Q点不稳定的诸多因素中，温度对三极管参数的影响是最为主要的。主要体现在下面三个方面。 温度升高，使ICBO和β增加，UBEQ的减小 ICBO是集电区少子漂移形成的，它会随温度升高而增加。一般温度每升高10°C，ICBO增加一倍。硅半导体中少子浓度比锗低，受温度影响比锗管小。 1．温度升高使UBEQ减小，IBQ增加 三极管由半导体材料制成，而半导体具有热敏性，温度升高时，少数载流子的浓度会明显增加，导电能力增强，从输入特性曲线上看，会导致输入特性曲线左移，UBEQ减小，IBQ增加。如图3-1所示，虛线表示温度升高以后的输入特性曲线。一般温度升高1°C，UBEQ减小22.5mV。 2．温度升高使ICBO增加 图3-1 温度对输入特性的影响 2．温度升高使ICBO增加 ICBO是集电区少子漂移形成的，它会随温度升高而增加。一般温度每升高10°C，ICBO增加一倍。硅半导体中少子浓度比锗低，受温度影响比锗管小。 3．温度升高使β增加，ICQ增加 由于基区掺杂浓度很低，多子所占的比例相对很小，温度升高时，多子所占的比例会更小。这样，发射区多数载流子在从发射区运动到集电区的过程中，被复合的机会相对减小，使电流放大系数β增加，并最终使集电极电流IC增加。如图3-2所示，虛线表示温度升高以后的输入特性曲线。温度每升高1°C，β增加0.51％，输出特性曲线间的间隔随温度升高而加大。 3.1.2 分压式射极偏置放大电路 1.电路组成及Q点稳定原理 发射极上串接一个电阻Re，当温度升高引起ICQ增加时，Re上电压随之增加。由于基极电位UBQ基本不变，发射结上的电压UBEQ = UBQ - IEQRe将减小，使IBQ自动减小，结果抑制了ICQ的增加，达到稳定Q点的目的。该电路又叫分压式负反馈放大电路。 基极偏置电路由Rb1和Rb2组成，利用其分压作用将基极电位基本上稳定在某一数值上。适当选择Rb1和Rb2的值，使I1IB，I2≈I1,可认为基极电位基本上为一固定值UBQ≈Rb2VCC/(Rb1+Rb2)，不受温度影响。 与Re并联的电容Ce，称为发射极旁路电容，用以短路交流，使Re对放大电路的电压放大倍数不产生影响，故要求它对信号呈现的容抗越小越好，因此，在低频放大电路中Ce通常也采用容量较大的电解电容。us为信号源电压，Rs为信号源内阻。 2.静态分析 将图3-1所示电路中所有电容均断开即可得到该放大电路的直流通路。 (3-1) (3-2) (3-3) (3-4) 3.放大性能分析 1．输入电阻 (3-6) (3-5) 2．输出电阻 3．电压放大倍数 信号源内阻的存在，使得信号源电压us不可能全部加到放大电路的输入端，利用率下降。Rs超大，放大电路的输入电阻越小时，us的利用率就越低。考虑到Rs对放大电路放大特性的影响，常引用源电压放大倍数Aus这一指标，它定义为输出电压uo与信号源电压us之比，即 ， (3-9) 3.2 差动放大电路 图3-6 差动放大电路的组成 (a) 工作点稳定电路的组合 (b) 基本差动放大电路 3.2.1 差动放大电路的结构及工作原理 1.差动放大电路的组成 差动放大电路由两个完全对称的共发射极电路组成，如图3-6所示。构成所谓双入、双出结构。发射极电阻和电容用其并联值代替。在静态，两个三极管集电极电位相等，故可将输出耦合电容省掉。为了将输入耦合电容也省掉，采取图3-6（b）的接法，成为直接耦合方式。电路组合后，后面将会看到去掉旁路电容，电路的性能会更好。 2.差动放大电路的工作原理 1) 静态分析 基极电位近似为 发射极电阻Re中的电流为两管发射极电流之和 2) 差模放大作用 当两个输入端的信号大小相等，极性相反