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PAGE \* MERGEFORMAT18 高效晶硅太阳电池技术调研报告 第一章引言 晶体硅太阳电池一直是太阳电池应用中的主导技术，并占有绝大部分光伏市场。由于太阳电池应用在本世纪中得到飞速的发展，晶体硅太阳电池的性能也得到迅速的提高：规模化生产的单晶硅和多晶硅太阳电池的转换效率在本世纪初只有14%和15%，现在已经达到了19.8%和18.4%左右。同时，晶体硅电池的制造方法却与十几年前基本没有变化，晶硅电池性能的提高，主要依赖电池辅料性能、生产工艺等的改进。如正面银浆、背面铝浆的不断更新换代，使正、背面金属接触的性能得到改善，提高了晶硅电池的开路电压（Voc）和短路电流（Isc）；电池加工设备的性能的提高，加上印刷网板的改进优化，正面银栅线有的采用了两次对准印刷。这些优化使印刷栅线宽度从150μm下降到如今的40μm左右，减少了栅线对光的遮挡，同时提高了栅线的高宽比，减小了栅线本身的电阻。因此，这一阶段电池性能的提高都应当归功于晶硅电池产业链上各级优化的结果。而随着晶体硅太阳电池效率逐步接近20%的光电转换效率，人们发现继续靠优化这些传统的晶硅电池技术和工艺来进一步提高电池的效率越来越困难。从而，相对不同的高效率晶硅电池技术受到了越来越多的重视。 高效晶体硅太阳电池的概念是上世纪80年代提出来的，关键在于引进了热氧化表面钝化技术和陷光效应理论。高效电池与普通电池的一个主要区别在于电池背表面的钝化。目前生产上采用的传统电池都是用全面积背面铝烧结形成铝背场，这种铝背场虽然比金属直接接触的表面复合有所下降，但下降的程度不大。铝背场比绝缘层形成的表面钝化作用相差甚远，因此，传统电池的Voc并不是很高，大多数在620～640mV之间。而高效电池要对电池的正反表面全面积钝化，复合损失大幅降低，它们的Voc大多在660～750mV左右。另外，传统铝背场的内部光反射率很低，接近于零，因而穿透硅材料的红外线在铝背场附近几乎全部损失掉了。 另外，传统电池的电流密度（Jsc）在37mA/cm2左右，而高效电池的背表面镜以及陷光机理的合理设计，可以使Jsc达到40～42mA/cm2。而且有了陷光作用，电池的厚度可以进一步减薄，这样可在极小电流损失的条件下进一步提高电池的Voc，特别是背面发射结电池和IBC电池。 第二章晶硅太阳电池的发展历程 晶体硅太阳电池技术是在过去60年间发展起来的，图1为晶体硅太阳电池光电转化效率的发展过程。20世纪四五十年代，由于空间太阳电池的应用需求，晶体硅太阳电池迅速发展起来，以地面太阳光谱条件下测量的电池效率超过了10%，后来发现了浅结技术后效率接近15%。在70年代中期，又发明了在单晶硅上的碱制绒技术，电池效率达到了17%。自此经历了MINP、PESC、PERC、PERL等技术阶段，晶硅电池的转化效率快速突破了20%。 由于PESC电池是用铝背场烧结而同时形成背面电场和正面钝化，它主要的弱点在于背表面的高复合以及极低的背表面处光的内反射。因而后来发展起来的PERC电池（钝化发射极及背面钝化电池）和PERL电池（钝化发射极和背面电扩散电池），在钝化电池背表面的同时，实现了背表面反射镜，得到了极佳的陷光效应，PERL电池迅速提高了电池效率，在20世纪90年代末达到了24.7%。2008年全世界各大权威太阳电池测量中心修正了AM1.5光谱数据后，1999年PERL电池创造了当时晶硅电池效率的世界纪录--25.0%。 图1.地面用晶体硅太阳电池效率发展史 随着光伏行业向高效率、低成本方向发展，HIT太阳能电池便应运而生。三洋公司最初将（a-Si）/（c-Si）异质结应用于太阳能电池中，并在1997年大批量生产HIT太阳能电池，首次将其投入市场；2009年实现了厚度98μm、面积100.3cm2的、拥有转换效率为22.8%的HIT太阳能电池，到2011年，三洋公司制备的HIT太阳能电池获得23.7%的效率。 2014年四月下旬日本夏普公司宣布，其自主开发的氢化非晶硅（a-Si:H）、N型单晶硅（c-Si）异质结背接触电池技术（即HBC技术），转换效率可达到25.1%；几乎同时，日本松下公司宣布其使用的HIT电池技术生产的电池达到25.6%的效率，刷新了澳大利亚新南威尔士大学1999年创下的25.0%的纪录，成为目前世界上太阳电池效率的最高水平。 近几年国内高效电池技术的研发和应用也日趋迅猛，除国内重点科研院所和研发机构外，很多大型新能源企业开始陆续建设高效电池生产线。2015年11月10日英利自主开发的“熊猫”二代MWT高效太阳能电池规模化生产效率达到20.5%，对于助跑我国光伏产业技术升级起到良好的示范作用，填补了N型电池技术的国内空白；2016年2月24日，晋能清洁能源有限公司2GW异质结高效光伏电池组件项目在晋