第一章.半导体物理半导体中的电子状态1.pptVIP

;本章内容提要;半导体独特的物理性质;1.1 半导体的晶格结构和结合性质;1. 金刚石型结构和共价键;当Si原子形成晶体时，原来在s 轨道上的二个价电子，有一个被激发到了p 轨道，形成s、px 、py 、pz四个轨道各有一个电子，然后它们再“混合”起来重新组成四个等价轨道，这种轨道称为SP3杂化轨道，这样这四个电子，在四个新的等价轨道上， 都成为未配对电子，而且它们的电子云分布基本上是单侧地伸向四面体的四个顶角，当原子结合成晶体时，就依照电子云重叠最多的角度，也就是四面体顶心这种角度进行(109°28‘)。;金刚石型结构;2. 闪锌矿型结构和混合键;闪锌矿型结构;闪锌矿结构的结晶学原胞 ;3. 纤锌矿型结构;纤锌矿型结构;纤维锌矿结构： ZnO、GaN、AlN、ZnS、ZnTe、CdS、CdTe… ;4. 氯化钠型结构;氯化钠型结构;1.2 半导体中的电子状态和能带; 同一电子壳层往往有好几个量子态。 处于不同支壳层的电子分别用1s、2s、2p、3s、3p、3d、4s等符号代表。 N个量子态看作一个能级称为简并。;预备知识－－泡利不相容原理;1.2 半导体中的电子状态和能带;电子共有化运动;能级分裂与能带的形成;说明（两原子系统）： 不计原子本身的简并，一个能级对应两个态。 每一个二度简并的能级分裂为两个相距很近的能级。 两个原子靠得越近，分裂越厉害。 ;Electron States and Relating Bonds in Semiconductors;思考：每一个能带包含的能级数与什么有关，宽窄呢;说明： 实际晶体的能带不一定与孤立原子的能级相当。 由于轨道杂化的作用，金刚石、硅 、锗形成上下两个能带（包含2N个状态），并不分别和s、p能级对应。 下面一个能带填满了电子，相应于共价键中的电子（满带或价带）；上面一个能带是空的，没有电子（导带）；中间隔以禁带。;1.2 半导体中的电子状态和能带;孤立原子 中的电子;(1) 自由电子的运动;考虑一维情况，自由电子的波函数代表一个沿x方向传播的平面波， ;;(2) 晶体中电子的运动;晶体中的电子与自由电子的比较;(3) 布里渊区与能带;晶体周期性势场中电子E(k)和k 关系在k=nπ /a处能量不连续 (n为整数)，形成一系列允带 和禁带。而布里渊区对应于 不同的允带，禁带出现在边界上.;能量也是晶格的周期性函数，k和k+n2π/a表示相同的态。考虑能量状态只要考虑第一区即可。常称这—区域为简约的布里渊区，这一区域内的波矢为简约波矢。E为k的多值函数。;E(k)与k的关系;允带出现布里渊区，禁带出现在布里渊区边界上，每一个布里渊区对应于一个能带，常考虑第一布里渊区（简约布里渊区），波矢为简约波矢。 E是k的多值函数，用En(k)标明是第几个能带。 对有限晶体而言，根据周期性边界条件，可以得出波矢只能取分立的数值，具有量子数的作用，描述晶体中共有化运动的量子状态。;E(k)随晶体中周期性变化 势场影响形式复杂;布里渊区的特征：（1）每隔2 π /a的k表示的是同一 个电子态；（2）波矢k只能取一系列分立的值，每个k占有的线度为2 π /L；; 它们的导电性能不同，是因为它们的能带结构不同。;固体;2.导体、绝缘体和半导体的能带模型; 外界条件变化时，半导体中少量电子可以激发到导带，参与导电；绝缘体禁带宽度大，激发的电子很少（通常条件下），导电性差。 满带顶部出现了空的量子态，变成部分占满能带，其导电作用等效于把这些空的量子状态看作带正电荷的准粒子的导电作用，这些空的量子状态称为空穴。 ???导体中，导带的电子和价带的空穴均参与导电（与金属导体的最大差别） 绝缘体和半导体能带类似，禁带宽度不同（主要差别），室温下，硅(1.12eV)）、锗(0.67eV)、砷化镓(1.43eV)、 金刚石(6～7eV);本征激发 当温度一定时，价带电子受到激发而成为导带电子的过程 本征激发。 ;1.半导体中E(k)与k的关系;对给定的半导体， ;2.半导体中电子的平均速度;量子力学概念;思考： 解释有效质量为什么会有正、负之分？ 能带底和能带顶的速度有什么特征(k为正值时)？;3.半导体中电子的加速度; ; ;4.有效质量的意义; 直接把外力f和电子的加速度联系起来，而内部势场的作用则由有效质量加以概括 （有效质量说明在外力和内部作用力的综合作用下，电子的加速度可以不在外力方向上，或曰：沿电子速度方向作用的外力不是加速而是减缓它们的运动）。 可以通过实验直接测量（eg：电子回旋共振实验） ;5. 有效质量不是常数而是k的函数。;1.4 本征半导体的导电机构 空穴;1.空穴的电荷;k空间空穴运动示意图;价带又被填满，总电流为零;