西工大微电子制造工艺概论学案.docVIP

第1章 单晶硅特点 硅材料的优点：  = 1 \* GB3 \* MERGEFORMAT ①原料充分，占地壳25%，沙子是硅在自然界中存在的主要形式；  = 2 \* GB3 \* MERGEFORMAT ②硅晶体表面易于生长稳定的氧化层，这对于保护硅表面器件或电路的结构、性质很重要；  = 3 \* GB3 \* MERGEFORMAT ③密度只有2.33g/cm3，是锗/砷化镓的43.8%，用于航空、航天；  = 4 \* GB3 \* MERGEFORMAT ④热学特性好，线热膨胀系数小，2.5*10-6/℃ ，热导率高，1.50W/cm·℃，芯片散热；  = 5 \* GB3 \* MERGEFORMAT ⑤单晶圆片的缺陷少，直径大，工艺性能好，目前16英寸；  = 6 \* GB3 \* MERGEFORMAT ⑥机械性能良好，MEMS。 硅中的点缺陷、线缺陷： （1）点缺陷 本征缺陷（晶体中原子由于热运动） 空位 A：晶格硅原子位置上出现空缺； 自填隙原子B ：硅原子不在晶格位置上，而处在晶 格位置之间。 杂质（非本征缺陷：硅以外的其它原子进入硅晶体） 替位杂质C 填隙杂质D  = 1 \* GB3 \* MERGEFORMAT ①肖特基缺陷：空位缺陷；  = 2 \* GB3 \* MERGEFORMAT ②弗伦克尔（Frenkel）缺陷：原子热运动脱离晶格位置进入晶格之间，形成的空穴和自填隙的组合；  = 3 \* GB3 \* MERGEFORMAT ③填隙杂质：在微电子工艺中是应尽量避免的，这些杂质破坏了晶格的完整性，引起点阵的畸变，但对半导体晶体的电学性质影响不大；  = 4 \* GB3 \* MERGEFORMAT ④替位杂质：通常是在微电子工艺中有意掺入的杂质。例如，硅晶体中掺入Ⅲ、Ⅴ族替位杂质，目的是调节硅晶体的电导率；掺入贵金属Au等，目的是在硅晶体中添加载流子复合中心，缩短载流子寿命。 （2）线缺陷 线缺陷最常见的就是位错。位错附近，原子排列偏离了严格的周期性，相对位置发生了错乱。 1 2 3 B A 位错可看成由滑移形成，滑移后两部分晶体重新吻合。在交界处形成位错。用滑移矢量表征滑移量大小和方向。 缺陷附近共价键被压缩 1、拉长2、悬挂3，存在应力 位错主要有刃位错和螺位错 刃（形）位错：晶体中插入了一列原子或一个原子面，位错线AB与滑移矢量垂直； 螺（旋）位错：一族平行晶面变成单个晶面所组成的螺旋阶梯，位错线AD与滑移矢量平行。 刃形位错的两种运动方式：滑移和攀移。 硅晶体的双层密排面间原子价键密度最小，结合最弱，滑移常沿{111}面发生，位错线也就常在{111}晶面之间。该面称为滑移面。 硅中杂质的类型 半导体材料多以掺杂混合物状态出现，杂质分为有意掺入的和无意掺入的。 有意掺入Si中的杂质有Ⅲ、VA族硼、磷、砷、锑。故意杂质一般能替代硅原子，占据晶格位置，在适当的温度下电离生成自由电子或空穴，能改变硅晶体的电学特性，具有电活性。 无意掺入Si中的杂质有氧，碳等。  = 1 \* GB3 \* MERGEFORMAT ①间隙式杂质：主要是Ⅰ和Ⅷ族元素，有：Na、K、Li、H等，它们通常无电活性，在硅中以间隙方式扩散，扩散速率快。  = 2 \* GB3 \* MERGEFORMAT ②替位式杂质：主要是Ⅲ和Ⅴ族元素，具有电活性，在硅中有较高的固溶度。以替位方式扩散为主，也存在间隙-替位式扩散，扩散速率慢，称为慢扩散杂质。  = 3 \* GB3 \* MERGEFORMAT ③间隙—替位式杂质：大多数过渡元素：Au、Fe、Cu、Pt、Ni、Ag等。都以间隙-替位方式扩散，约比替位扩散快五六个数量级，最终位于间隙和替位这两种位置，位于间隙的杂质无电活性，位于替位的杂质具有电活性。 共价键内的电子称为束缚电子。 挣脱原子核束缚的电子称为自由电子。 T=0K 且无外界激发，只有束缚电子，没有自由电子，本征半导体相当于绝缘体。 T=300K，本征激发，少量束缚电子摆脱共价键成为自由电子。 掺入杂质的本征半导体。掺杂后半导体的导电率大为提高。 掺入三价元素，如B，形成P型半导体，也称空穴型半导体。 因留下的空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。空穴是多子（杂质、热激发），自由电子是少子（热激发)。 掺入五价元素，如P，形成N型半导体，也