世界集成电路发展简史.pdfVIP

世界集成电路发展历史 World IC Industrial History Review SEMICONDUCTOR INDUSTRY ASSOCIATION 前言 历史上第一个晶体管于60年前—1947年12月16日诞生于美国新泽西州的贝尔实验室(Bell Laboratories)。发明者威廉 ·肖 克利(William Shockley)、约翰 ·巴丁(John Bardeen)和沃尔特 ·布拉顿(Walter Brattain)为此获得了1956年的诺贝尔物理 学奖。 固态半导体(solid-state)的发明使得之后集成电路的发明成为可能。这一杰出成就为世界半导体产业的发展奠定了基 础。之后的60年里，半导体技术的发展极大地提升了劳动生产力，促进了世界经济的发展，改善了人们的生活水平。 美国半导体协会(SIA)总裁乔治·斯卡利思(George Scalise)曾经说过：“60年前晶体管的发明为这个不断发展的世界带来 了巨大的变???，这一历史性的里程碑式的发明，意义不容小觑。晶体管是无数电子产品的关键组成部分，而这些电 子产品几乎对人类生活的各个方面都带来了革命性的变化。2007年，全世界的微电子行业为地球上每一个男人、女 人和小孩各生产出9亿个晶体管—总计达6,000,000,000,000,000,000(六百亿亿)个, 产业销售额超过2570亿美元”。 回顾晶体管的发明和集成电路产业的发展历程, 我们可以看到，60年前晶体管的发明并非一个偶然事件，它是在世界 一流的专业技术人才的努力下，在鼓励大胆创新的环境中，在政府的鼓励投资研发的政策支持下产生的。同时，我 们也可以看到集成电路产业从无到有并高速发展是整个业界相互合作和共同创新的结果。 资料来源：美国半导体生产商协会（SIA） 世界集成电路发展历史 World IC Industrial History Review 发现和研究半导体效应 1833年，英国物理学家迈克尔·法拉第(Michael Faraday)在研究硫化银晶体的导电性 1833 - 第一次记录了半导体效应 时，发现了硫化银晶体的电导率随温度升高而增加这一“特别的现象”。这一特征 1874 - 发现半导体点接触整流效应 正好与铜和其他金属的情况相反。迈克尔·法拉第(Michael Faraday)的这一发现使人 1901 - 半导体整流器申请“触须”探测器专利 们对半导体效应开始有了认识。1874年，德国物理学家费迪南·布劳恩(Ferdinand 1926 - 场效应半导体器件概念申请专利 Braun)在研究晶体和电解液的导电性质时发现电流仅能单方向通过金属探头和方铅 1931 - 出版《半导体电子理论》 晶体的接触点。费迪南·布劳恩(Ferdinand Braun)记录和描述了这一半导体二极管的 1940 - p-n结的发现 “触点式整流效应”。基于这个发现，印度加尔各答大学总统学院物理学教授博斯 爵士(Jagadis Chandra Bose)提出了把“半导体晶体整流器”用作探测无线电波的应用 并申请了专利(1901年)。 波兰出生的美国物