EOS 原理与避免.pdf

MA EOS 原理与避免 ? 英特尔机密 集成优势 — 支持渠道 1 MA EOS 概念 E - ELECTRICAL O - OVER S - STRESS EOS 指所有的过度电性应力。超过其最大 指定极限后，器件功能会减弱或损坏。 ? 英特尔机密 集成优势 — 支持渠道 2 MA EOS 与 ESD 的区别 EOS ESD ? 通常产生于： ? 属于 EOS – 电源 – 能量有限 – 由于静态电荷引起 – 测试装置 ? 其过程持续时间可能是几微秒到 ? 其过程持续时间为几皮秒到 几秒（也可能是几纳秒） 几纳秒 很短的 脉冲导致的损坏与 ? EOS ? 其可见性不强 ESD 损坏相似。 ? 通常导致晶体管级别的损 ? 损坏表征 坏。 – 金属线会膨胀 – 通常会发热 – 功率升高 – 会出现闭锁情况 ? 英特尔机密 集成优势 — 支持渠道 3 MA 导致 EOS 的常见原因 ? 由于测试程序切换（热切换）导致的瞬变电流/峰值/低 频干扰 ? 电源 (AC/DC) 干扰和过电压。 ? 测试设计欠佳，例如，在器件尚未加电或已超过其操作 上限的情况下给器件发送测试信号。 ? 从其他装置发送的脉冲。 ? 工作流程不甚合理 ? 接地反弹（由于接地点不够，快速电流切换导致电压升 高） ? 英特尔机密 集成优势 — 支持渠道 4 MA EOS 示例图 ? 英特尔机密 集成优势 — 支持渠道 5 MA EOS 示例图 在 FESEM 仪器下看到的 EOS 对闪存设备造 成的损坏情况 ? 英特尔机密 集成优势 — 支持渠道 6 MA EOS 避免 ? 电源 ? 工作流程 – 确保交流电源配备了瞬态电流 – 将正确流程存档。 抑制器（滤波器） – 确保针对以下内容进行培训并 – 电源过压保护 给出警示标志：