模电课件12第4章节场效应管.pptVIP

三、特性曲线 1·4·2 绝缘栅型场效应管（MOSFET） 一、N沟道增强型MOSFET N+ P 型衬底 G B N+ S D uGS uGS uGS(th) uGS ↑ →导电沟道 ↑ uGB ↑ →rDS ↓ (2) iD和导电沟道随uGS和uDS的变化 N+ P 型衬底 G B N+ S D uGS uDS uGS=常数UGS（th） 电位 S ← D 低←高 宽 ←窄 S ← D 有导电沟道的条件 uGD UGS（th） uGD= uGS-uDS UGS（th） uDS uGS- UGS（th） uDS↑ →rDS↑(慢) →iD↑ iD uDS iD O A uDS↑ 导电沟道开始形成uGD= uGS-uDS =UGS（th） 导电沟道开始夹断uGD= uGS-uDS =UGS（th） uDS = uGS- UGS（th） 预夹断 uDS= uGS- UGS（th） 预夹断后 预夹断 uDS uGS- UGS（th） uDS↑ 预夹断后△uDS几乎都降落在夹断区上，而未夹断沟道中的电压基本维持不变。 iD几乎不变略有增大 uDS↑ →反向击穿 S D uDS uGS- uDS UGS（th） uGD= B 沟道部分夹断 3．输出特性曲线 uDS iD 0 uGS=5V uGS= 4V uGS= 3V uGS= 2V uGS= UGS(th) 截止区 uGS uGS(th) N+ P 型衬底 G B N+ S D uGS →导电沟道 ↑ uGS ↑ →rDS ↓ uDS →iD ↑ 预夹断曲线 uDS= uGS- UGS（th） uDS= uGS-UGS(off) uGS iD uDS 0 0 -4 -1 -2 -3 uGS= UGS(off) uGS= UGS(th) 4.1 结型场效应管 三、 E型 N MOSFET的输出特性曲线 1. 输出特性 iD uDS 0 5 4 3 2 可变电 阻区 恒流区 击 穿 区 截止区 ① uGS↓→rds↑ ②恒流区（饱和区） ③击穿区 ④截止区 （全夹断区） uDS= uGS-UGS(th) uGS 可变电阻区 MOSFET正常放大作用区域 线性放大区 BUDS uGS≤ UGS(th) uDS uGS-UGS(th) uDS uGS-UGS(th) UGS(th) P145 表4．2 * 双极型晶体管BJT：输入电阻rbe小，电流控制器件 NPN PNP 场效应管 输入电阻高、内部噪声小、耗电省、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单、易于实现集成化、工作频率高 电压控制器件 4-1 结型场效应管（JFET） 4-2 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 4-3 场效应管放大电路 4-4 MOS模拟集成电路基础 场效应管（FET）： 是一种具有PN结的有源半导体器件，利用电场效应来控制输出电流的大小。 场效应管的特点： ①输入电阻高； ②内部噪声小； ③功耗低； ④热稳定性及抗辐射能力强； ⑤工艺简单、易于集成化。 输入端PN结一般工作反偏或绝缘状态。 场效应管的分类： 结型FET（JFET）： MOSFET（IGFET）： N沟道、P沟道 增强型： 耗尽型： N沟道、P沟道 N沟道、P沟道 N 4.1 结型场效应管（JFET） 4.1 结型场效应管 一、 JFET的结构和符号 # 符号中的箭头方向表示什么？ 表示栅结正向偏置时，电流方向是由P指向N。 P P+ P+ D S G D G S N沟道JFET 的结构和符号 栅极 漏极 源极 NPN B IB D G S P沟道JFET N+ N+ C E B C E PNP IB B C E B C E 二、 JFET的工作原理 ※N沟道JFET工作时，必须在栅极和源极之间加一个负电压——uGS 0. G N P+ P+ D S 栅极—沟道间的PN结反偏， 栅极电流iG?0 栅极输入阻抗高达107?以上。 在D-S间加一个正电压uDS0, N沟道中的多子（电子）由S向D运动，形成漏极电流iD。 iD iG 主要讨论uGS对iD的控制作用以及uDS对iD的影响。 电子 iD uGS uDS 输入电阻很高 只有一种类型的多数载流子参与导电 G N P+ P+ D S 1、 UGS对iD对控制作用 ① UDS=0， uGS 对导电沟道的影响 G N P+ P+ D S uGS=0 导电沟道较宽 |uGS|=|UGS(off)| |uGS||UGS(off)| 导电沟道由于耗尽层的加宽而变窄。 导电