电子工业出版社，2005年.ppt

莆田学院现代教育技术中心 2004年8月 第一章 概述 伍媛婷 1.1 微电子技术 20世纪60年代，电子学产生了一个新的学科分支，研究如何利用固体内部的微观特性以及一些特殊工艺，在一块半导体材料上制作大量的元件，从而在一个微小面积中制造出复杂的电子系统，即微系统电子学（微电子学，Microelectronics）。 微电子学中各项工艺技术的总称便是微电子技术。这个领域中最主要的就是集成电路（Integrated Circuits, IC）技术。 1947年美国电话电报公司（AT＆T）贝尔实验室的三位科学家巴丁、布赖顿和肖克莱制成第一支晶体管（Transistor）以取代电子管 。1958年出现了第一块集成电路板 。 集成电路经历了小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路和超大规模集成电路四个阶段。 集成度是标志集成电路水平的指标之一。集成度是指在一定尺寸的芯片上能做出多少个元件。 为了达到更高的集成度，还可以生长出更大的硅片，而硅片也随着材料制备工艺的发展而越来越大，目前生产的硅片直径可达500mm左右。 1.2 微电子材料及其应用 微电子材料中主要为两大部分，一部分是晶圆片，另一部分则是薄膜。无论是晶圆片还是薄膜材料都可以是单晶、多晶或无定形态。 硅和锗是最初两种重要的晶圆片材料。第一个晶体管是由锗制造的，但由于锗的熔点不高（937℃），限制了高温工艺，并且它的表面缺少自然氧化形成的氧化膜而容易漏电。而硅的优点使其成为了微加工的主体材料。 晶圆片的还可以是氧化硅、碳化硅、蓝宝石、砷化镓、玻璃、氧化铝、塑料，等等。 薄膜 1.3 工艺 集成电路制造流程图 微加工工艺步骤主要包括以下几个主要内容： （1）单晶生长； （2）薄膜生长； （3）图形化（光刻、刻蚀）； （4）掺杂及热处理； （5）层间转移和键合； （6）表面处理及清洗。 电子集成技术 （工艺方法） 1.4 器件 电子元器件经历了经典电子元器件时代（以电子管为代表）、小型化电子元器件时代（以半导体分立器件为代表）和微电子元器件时代（以高频和高速处理集成电路为代表）。 1.5 未来趋势 集成电路芯片的发展规律基本上遵循了Inter公司创始人之一的Cordon E Moore 1965年的预言（摩尔定律）：集成电路的集成度（每个微电子芯片上集成的器件数），每三年左右为两代，每代增加4倍，特征尺寸缩小2倍。 1974年，IBM的Dennard等人提出了按比例缩小原理（Scaling Down Principle）。即特征线条越窄，IC的工作速度越快，单元功能消耗的功率越低，从而在原理上确定了微电子“越小，越密，越快，越省电，越廉价”这一发展优势，为Moore定律建立了理论根据。 第二章 单 晶 2.1 概述 晶体：原子在某种材料内部周期重复排列成固定的结构 非晶、多晶和单晶示意图 第一代半导体晶体是锗（Ge）单晶和硅单晶 （Si） 第二代半导体晶体为Ⅲ一V族化合物，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、磷化镓（GaP）、氮化镓（GaN）等单晶。 目前已发展到三元或多元化合物的半导体晶体 从提高硅集成电路成品率、降低成本方面考虑，增大直拉硅（CZ-Si）单晶的直径和减小微缺陷的密度仍是今后发展的总趋势。 2.2 硅 硅是自然界中最丰富的元素，地壳成分中27.8%是硅元素构成的。（石英、玛瑙、燧石、多种岩石和普通的滩石 ） 真正能用于半导体生产用的原料都来源于高纯硅石（即石英矿）。用作半导体材料的硅是经还原提纯的高纯硅，它有非晶、多晶、单晶三种形态。 硅具有易于提纯、价格低廉等特点。而且硅器件易于实现平面工艺，效率高、寿命长、体积小、导热好、耐高温、可靠性高，大多数半导体器件都选用硅作原料。硅是大多数半导体和微电子芯片的主要原料。 2.3 硅的晶体结构与性能 硅的晶体结构（Crystal Structure）是由18个硅原子所构成的金刚石型晶格结构。每个硅原子周围都有四个硅，硅原子之间形成共价键。其晶胞（Crystal Cell/Unit Cell）可以看做是由两个面心立方体晶格插在一起形成的，晶胞的边长a为5.43095?，两个原子之间的距离是(3/4a)1/2，半径是(3/8a)1/2。 2.4 硅晶体中的缺陷和非理想状态 晶体缺陷会产生不平均的二氧化硅膜生长、差的外延膜的淀积、晶圆里不均匀的掺杂层及其它问题从而导致工艺问题。 零维缺陷（点缺陷 ）： 2.5 硅的晶体生长及设备 外延法：能够生长和单