重掺硼对直拉单晶硅片上压痕位错运动的影响_赵泽钢_赵剑_马向阳_杨德仁.pdfVIP

第３ 卷 第 期 材 料 科 学 与 工 程 学 报 总第 期 ４ ３ １６１ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Ｖｏｌ．３４ Ｎｏ．３ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅ＆ Ｅｎ ｉｎｅｅｒｉｎ Ｊｕｎ．２０１６ 　 　 　 　 　 ｇ ｇ 　　　 文章编号： ２ （ ） ０ ０ １６７３ ８１２２０１６０３ ３４５ ４ － － － 重掺硼对直拉单晶硅片上压痕位错运动的影响 ， ， ， 赵泽钢 赵 剑 马向阳 杨德仁 　 （ ， ， 江杭州 ） 硅材料国家重点实验室 浙江大学材料科学与工程学院 浙 ３ １００２７ 　 １ － ２ － ６ ３ ０ ３ 【 】 （ ） （ ） 摘 要 对比研究了轻掺硼 ｃ 和重掺硼 ｃ 直拉硅片上维氏压痕周 ．５×１０ ｍ ．２×１０ ｍ １ １ 　 　 　 　 。 ： 围的残余应力分布及压痕位错在 滑移的情况 研究表明 重掺硼直拉硅片上压痕周围的残余应 ９００℃ 。 热 ， 力及应力场区域显著小于轻掺硼硅片的 在 ００℃ 处理时 轻掺硼硅片上的压痕位错发生显著的滑 ９ ， 。 ， ， 移 而重掺硼硅片上的压痕位错几乎不发生滑移 一方面 重掺硼降低了单晶硅的压痕断裂韧性 使侧 ， ； ， 向裂纹尺寸增大而释放更多的应力 从而使压痕的残余应力变小 另一方面 重掺硼对位错具有明显的 ， 。 钉扎作用 使位错的滑移需要更大的应力驱动 可以认为正是上述两方面的效应使得重掺硼硅片的压 痕位错几乎不发生滑移。 【 】 ； ； 关键词 单晶硅片 重掺硼 位错滑移 　 中图分类号： 文献标识码：