电池所需测试大全.pdf

测试部分 1.1 1.1 11..11光电导测量仪 名称：WCT 光电导测量工具 仪器包含部分：个人计算机、少子寿命测试台、电池组Qpaq-X 的电源 碘酒钝化 原始硅片去除损伤层,并按生产线方式清洗或在通风橱中按RCA2（纯水H2O：H2O2： HCl=5：1：1，沸腾后保持6分钟，纯水冲洗10分钟）-RCA1（纯水H2O：H2O2：NH4OH=5： 1：1，沸腾后保持6分钟，纯水冲洗6 分钟）-RCA2（纯水H2O：H2O2：HCl=5：1：1， 沸腾后保持6分钟，纯水冲洗6分钟）清洗； 在通风橱中用纯水H2O：HF=10：1的溶液浸泡清洗好的硅片1分钟，纯水冲洗10分钟； 用氮气枪吹干硅片； 将吹干的硅片放入大小合适的塑料封口袋中，滴入适量的碘酒（0.08mol/l），使硅片上下 表面均匀布满碘酒，封好塑料封口袋，不要使碘酒溢出； 将塑料封口袋和硅片一起置于少子寿命测试台上，进行测量； 测量结束后，在通风橱中用纯水打开塑料封口袋冲洗硅片三次，取出硅片放入承片盒中再 用纯水冲洗10分钟，用氮气枪吹干硅片。 少子寿命测量方法 对测试滤片进行选择为1号滤光片和厚的滤光片. 先进行校准，取电阻率大于100的F 校准标准硅片放置于基台上，点开Lifetime 的Excl 文件夹. 在Cailration目录下进行校准，调整基台下面的旋钮，使蓝线与0.1标准线重合. 将碘酒钝化的硅片放置于测试台面上，点文件中的Measurewafer键，对图形中的蓝点进 行中间修正后读值. 1.2 SEMILAB 1.2 SEMILAB 11..22非接触式少子寿命测量仪器（SSEEMMIILLAABB） 名称：WCT 光电导测量工具 仪器包含部分：个人计算机、测试基台 将需要测试的不同硅片放置于测试台面上 使用软件为UPCD，测试多为扩散后的硅片. 点击ASET 键，LT为测试显示值。 少子寿命数值规定如下： FZ片子大于100 原始硅片 单晶 10um以上 多晶 5um以上（原则上要求要大于10um正常中需要算大于10um 以上的所占比率） 扩散后硅片 单晶 10um左右（原则上要大于10um） 多晶 7um左右 （原则上要大于10um） 影响少子寿命的内容 杂质类型即深能级杂质如金属杂质等等严重影响少子寿命 硅片表面态的状况，即高温处理前硅片的表面状况直接影响少子寿命 杂质浓度对少子寿命的影响，重掺杂状况下会引起晶格的畸变，复合加剧影响少子寿命 1.3SUN-Voc 1.3SUN-Voc 11..33SSUUNN--VVoocc检测方法 对电池片的选择要求， Uoc Isc Rs Rsh FF NCell Lreve2 0.604 7.688 2.22 98.60 78.23 0.1498 2.199 0.609 7.631 2.38 67.61 78.648 0.1497 4.667 串并联正常，漏电较大的电池片 J01，测试前后表面 J02，测试结区 使用厚的滤光片、1号滤光片和3号滤光片； 将机台的两根线接上机台（一根红的，一根蓝的），红线接红接口，蓝线接蓝接口. 将电池片的电流密度算出（电流除以电池片面积），输入测试软件中. 将待测电池片放在机台上，正面朝上，用测试笔点在主栅线上 点击Measure键，然后让软件自己校准 完成后，再点两次Rasmple， 然后再点击IVCurve，对曲线进行拟合， 查看Jo1、Jo2、PFF 和0.1sun下的品质因子的数值. 2.1 2.1 22..11 膜厚折射率检测方法 名称：扫描椭圆偏振光测试仪（SWE 致东光电或sentech） 仪器包含部分：测试计算机、控制器、测试基台（三种） 对于基台1，长方形斜面台测试单晶 2，小圆盘 测试多晶 3，大圆盘 测试抛光片 首先激光对点，标记需要测试的部位，选择需要测试的膜对应的