《模拟电路基捶20090915第5次课.pptVIP

晶体二极管：单向导电性 晶体三极管：放大作用 双极型晶体管（ BJT， Bipolar Junction Transistor） 场效应管（ FET， Field Effect Transistor）单极型 晶体管内部载流子运动与外部电流 直流参数 直流电流放大系数 和 极间反向电流ICBO和ICEO 交流参数 交流电流放大系数α和? 频率参数fβ和fT 极限参数 集电极最大允许电流ICmax 集电极最大允许功耗PCmax 反向击穿电压 交流参数是描述BJT对于动态信号的性能指标。 极限参数是指BJT安全工作时不可超过的限度。 1. 直流电流放大系数 和 （1）共基直流电流放大系数 （2）共射直流电流放大系数 （3） 与 之间的关系 （2.25） （2.26） 2.3.1 BJT直流参数 = ICN/IE =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE = ICN/IB =（IC－ICBO）/IB≈IC/IB 2. 极间反向电流 ICBO和ICEO （1）集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 ICBO是BJT在共基极应用且发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 在室温下，锗三极管的ICBO大小约为(1～2)μA（高频管）到几十μA（低频管），甚至几百μA（大功率低频管）。 硅三极管的ICBO要小的多，仅千分之几到十分之几μA，大功率管一般也不超过 μA数量级。 （2） 集电结反向穿透电流ICEO ICEO是BJT在共发射极应用且基极开路时，集电极与发射极间的穿透电流。 B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO进入N区，形成IBE。 根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。 集电结反偏有ICBO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 同一型号的管子反向电流愈小，性能愈稳定，选用管子时， ICBO和 ICEO应尽量小，硅管比锗管的极间反向电流小2-3个数量级。 1. 交流电流放大系数α和? （1）交流电流放大系数α （2.27） （2）交流电流放大系数? （2.28） 2.3.2 BJT交流参数 （3）α与?的关系： （2.29） （2.30） = ICN/IB =（IC－ICBO）/IB≈IC/IB 例：VCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = ? = 2. 频率参数 （1）截止频率fβ 由于BJT的PN结具有电容效应，当工作频率较高时，BJT电流放大系数? 将随信号频率f的变化而变化，两者之间的关系可近似表示为: （2.31） 式（2.31）中， ? 0为直流（或低频）电流放大系数；f?为共射电流放大系数的截止频率，表示共射电流放大系数由? 0 下降3 dB（1/√2 倍）时所对应的频率。图2.7示出了BJT电流放大系数? 的频率特性。 图2.7 ?的频率特性 （2）特征频率fT 特征频率 fT是当高频? 的模等于1(0dB)时所对应的频率。也就是说，当|? (f)| = 1时，集电极电流增量与基极电流增量相等，共射接法的BJT失去电流放大能力。根据fT的定义和式（2.31）可近似估算出特征频率fT 大部分BJT:β010 根据fT的不同，晶体管可以分为低频管、高频管和微波管。在应用双极型晶体管时，工作频率应该远小于特征频率fT。例如在BJT放大电路中，可以选fT比入信号频率高10倍的管子作为放大管。 集电极最大允许电流ICmax iC在较大的范围内，? 基本不变，但当iC增大到一定数值时，?值就会随着的iC增大而减小。一般ICmax是指?下降到最大值的2/3时所对应的集电极电流。当iC ICmax时， 虽然管子不至于损坏，但?值已经明显减小。 2.3.3 极限参数 晶体管线性运用时，iC不应超过 ICmax。 2. 集电极最大允许耗散功率PCmax PCmax是指集电结上允许损耗功率的最大值，决定了晶体管的温升。超过此值就会使管子性能变坏或烧毁。对于确定型号的BJT，PCmax是一个确定值，即 PCmax=iCvCE=常数，在输入特性平面上为双曲线中的一条。 按PCmax的大小，晶体管可分为小功率管和大功率管。对于大功率管，为了提高PCmax，通常加装散热装置。当散热条件不满足要求时，允许的最大功耗将小于PCmax。 PCmax值与环境温度有关，环境温度越高