稳定的GaAs(2 5 11) 高密勒指数表面的电子结构！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 # ’$ %$$ ’$ ， ， ， 1R9 -# QR - ’$ S@TRU0K %$$ （ ） ’$$$4%I$L%$$L# ’$ L#’#4$3 *MH* NOPBCM* BCQCM* !%$$ MJ8A - NJ;+ - BR@ - 稳定的 （ ）高密勒指数表面的电子结构! !#$ % ’’ ! 贾 瑜 杨仕娥 马丙现 李新建 胡 行 （郑州大学物理工程学院，郑州大学材料物理教育部重点实验室，郑州 #$$#% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$ ’$ %$ %$$ % ’$ 采用格林函数方法对具有稳定结构的 （ ）（ ）表面的电子结构特性进行了计算 结果表明：对于理 ()*+ % # ’’ ’ , ’ - 想的 （ ）表面，基本带隙内的表面态主要处在三个能量区域，即 — ， — 和 — ()*+ % # ’’ . $ / ’ $ / ’01 $ /2# ’/$01 ’/ ’/301 之间；吸附两个 原子形成（ ）再构后，表面态的变化主要表现在 — 之间的表面态完全消失 结合电 *+ ’ , ’ $ /2# ’/$01 - 子数目规则，可以确定处在. $ / ’—$ / ’01 之间的表面态为全部填满的阴离子悬挂键态或再构引起的*+4*+ 二聚体 键的表面态，而处在 — 的表面态为阳离子空的悬挂键态 ’/ ’/301 - 关键词：高密勒指数表面，电子结构，电子数目规则 ： (#)) 5%$ 近年来，对()*+ 高密勒指数表面的研究取得了 ［］ 引 言 较大进展3 尤其是离子轰击退火（ ）和分子束外 ’/ - CD* 延（ ）等技术的应用，使更多的高密勒指数表面 ED6 在以往的表面科学研究中，人们主要关注的是 得以研究 例如，目前实验已确定