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Ch5 半导体发光二极管与激光器 §5.2 半导体发光二极管 b.非本征型 3.发光效率--量子效率 3.影响发光效率因素 §5.3 半导体激光器(Semiconductor Lasers) 5.3.1 半导体激光器 3.产生激光条件 1.光子与电子相互作用的物理过程 a.光的自发辐射 处于激发态的电子以一定几率随机地与空穴 复合发光。 特征：非相干光--发光二极管工作原理基础。 b.光的受激光辐射 高能电子在光子作用下，跃迁至能量差与光 子能量相等的低能级，同时发射一个与入射 光子全同的光子。 特征：相干光—激光器工作原理基础。 c.光的受激吸收 低能态电子吸收光子能量跃迁高能态 。 特征：光电探测器工作原理基础。 2.粒子数反转---受激辐射 受激吸收  2.光在平板介质波导中的传输特性 (对称三层介质波导) 偶阶TE模式： 在有源区内： 在有源区外： 3.光谐振—产生激光需相干光，且光子限定区内增益大于损耗 #产生激光条件： 4.阈值电流  产生激光振荡最小工作电流 5.3.2 激光器基本结构 2.单异质结 3.双异质结 4.多量子阱激光器