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Ch 7 光辐射探测器件 光电探测器的物理效应 光电探测器件中的噪声 光电导、光伏探测器件、光电倍增管 热释电探测器件 变像管、增像管、摄像管 电荷耦合器件（CCD） 光电探测器的物理效应 光电效应：入射光辐射的光子流与探测器材料中的电子相互作用，从而改变电子的能量状态，引起各种电学现象。 光热效应：吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子能量状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件温度的上升，从而使元件的电学或其他的物理性质发生变化。 光辐射探测的噪声 3. 响应时间 影响响应时间的快慢的重要因素 载流子的运动速度。 4. 伏安特性 无光照时，光电二极管的 V－I 特性： I ＝ I [e － 1 ] kT eV s V 是外加偏压，为负值。 有光照时，光电二极管的 V－I 特性： I ＝ I － I [e － 1 ] kT eV s p V 光 照 增 大 无光照时 有光照时 有光照时 I PD：光电二极管 Ec： 电源电压 R： 负载电阻 PD 光电转换器件 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 常见类型的光电二极管