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“ ” “ ” 微互连技术之 引线键合技术 微互联技术 引线键合技术(WB) 引线键合技术是将半导体裸芯片（Die）焊区与微电子封装的I/O引线或基板上的金属布线焊区（Pad）用金属细丝连接起来的工艺技术。 提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物，使焊区金属产生塑性变形，使得引线与被焊面紧密接触，达到原子间引力范围并导致界面间原子扩散而形成焊合点。引线键合键合接点形状主要有楔形和球形，两键合接点形状可以相同或不同。 引线键合技术作用机理 引线键合技术分类 常用引线键合方式有三种： 热压键合TCB 超声键合USB 热超声波（金丝球）键TSB 热压键合作用机理 利用加压和加热，使金属丝与焊区接触面原子间达到原子引力范围，实现键合。一端是球形，一端是楔形 ，常用于Au丝键合。 压头下降，焊球被锁定在端部中央 压头上升 压头高速运动到第二键合点，形成弧形 在压力、温度的作用下形成连接 1 4 3 2 第 一 键 合 点 的 形 状 在压力、温度作用下形成第二点连接 压头上升至一定位置，送出尾丝 引燃电弧，形成焊球进入下一键合循环 夹住引线，拉断尾丝 5 6 7 8 第二键合点 契形焊点 丝球焊点形状 球形焊点 热压球焊点的外观 超声波发生器使劈刀发生水平弹性振动，同时施加向下压力。劈刀在两种力作用下带动引线在焊区金属表面迅速摩擦，