第十一回高辉度电子源开発G.doc

第12回高輝度電子源開発G 日程：2009年4月27日(月) 時間：13：30 – 15:00 ビデオ接続(58001)：JAEA、KEK、名古屋大、広島大 参加者：羽島、永井、西森、飯島(JAEA)、本田、宮島、山本(将)　(KEK)、桑原、奧見、中西(名大)、栗木（広島） ○西森氏より、500kV電子銃の現状について報告があった。 カソードパックのMo板とSUSシェルの間で金ロウ付け不全があり、酸化膜を除去してふたたびロー付けして成功した。またSF6タンクのフランジ部の溶接による歪みの問題があり、対処中。ロードロック＋活性化チャンバーの真空はほぼ確立した。 Q: カソード化学洗浄後に汚れありとあるが？ A:リンス後に汚れのようなものが残った。特定はしていない。 C:窒素雰囲気中での乾燥に手間取るとそのような状態になることがある。過去NEAの生成には支障とはなっていない。 ○山本氏より500kV電子銃のカソード電極形状の最適化について報告があった。 4/13にKEKとJAEAの関係者で検討した結果を報告する。規格パイプ径で曲率Rを最適化したが、表面電場は10MV/mを超えてしまっている。 Q:TiよりもMoで作るべきではないのか？ A:放電特性からはそうだが、予算と加工のために必要な検討時間を考慮し、Tiでつくることとした。放電が問題となった場合には、特に高電界となる電極正面部のみMoへの交換可能な形状にしている。 Q:Rのさらなる最適化は可能か？ A:パイプ径を境界条件とした場合には現状からの大幅な改善は難しい。 Q:アノードとの距離は？ A:50mmでは電界が高すぎる。また、70mm以上離した状況でもカソード電極上の電界強度は効果的に低くはならない。70mm程度が適当だろう。 ○飯島氏より250kV電子銃の現状について報告があった。 カソード近傍での不要なレンズ効果を除去するため、カソード電極を交換した。またYAGの金コートしていないものがチャージアップで破損したので、交換した。 Q:銀ローを使用したようであるが、加熱洗浄などで問題は発生していないか？ A:特に問題はない。 Q:ビームテストの現状は？ A:プロファイルを確認している段階。またソレノイド収束は有効に働くようになった。 Q:YAGスクリーンの破壊時にカソードへの影響は？ A:顕著な影響はなかった。詳細には評価していない。 ○桑原氏より、ERL用フォトカソード開発について提案があった。 超格子構造を高QE, 超低エミッタンスに最適化することで、ERLのためのカソード開発を行う予定である。具体的には二つの正孔準位から伝導帯の第一ミニバンドへのみ励起するような構造をつくり、高QEかつ超低エミッタンスをめざす。また活性層の厚みを増やすことでもQEを向上させたい。また、バンドギャップを532nmに合わせ込むことも検討する。 Q:QEの見積りにNEAでの脱出確率は入っているのか? A:入れている。吸収の効果は入っていない。 Q:どのようなステップで進めるのか? A:まず700nm帯で、高QEかつ超低エミッタンスカソードを開発し、次に532nmへの合わせ込みを狙う。 Q:700nm帯のカソードに532nmのレーザーを当ててもバルクより低エミッタンスとなるのか？ A:その場合は複数のミニバンドに励起されるので、超格子の利点を生かしきれず、超低エミッタンスになるとは限らない。 Q:532nmへの合わせ込みの場合の材料の検討は？ A:まだ検討中。単純にAlの混晶だけでは難しい。 Q:ミニバンドのエネルギー広がりでエミッタンスが決まるのか?その広がりはどのように決まるのか？ A:ミニバンドの広がりと熱運動で決まると考えている。バンド幅は超格子の井戸の深さと厚みで決まる。 次回会合は5/25(月) 13：30を予定 文責 栗木