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第14章 二极管和晶体管 14.4 稳压二极管 二、晶体管的电流分配及放大作用 习题 P32 14.3.6, 14.3.9, 14.3.10, 14.4.4, 14.5.9,14.6.1 U I UZ IZ IZmax ?UZ ?IZ 曲线越陡，电压越稳定。 结构：结构同二极管（击穿可逆） 二、伏安特性： 稳压值 稳压误差 + - + - 一、 基本结构 DZ 符号： 1. 稳定电压UZ 2. 稳定电流IZ 稳压管中的电流为规定电流时，稳压管两端的电压值。 稳压管正常工作时的参考电流值，对应UZ的值。 三、主要参数 U I UZ IZmin IZmax 3）最大允许功耗 4. 动态电阻rZ 类似二极管的动态电阻，反映了稳压区电压变化量与电流变化量之比，越小越好。一般为几欧到几十欧。 5. 温度系数α 温度升高，UZ增加，正温度系数。温度升高，UZ减小，负温度系数。 （%/℃） 稳压管与二极管的主要区别 稳压管工作在反向击穿区， 二极管工作在正向导通和截止区； 稳压管比二极管的反向特性更陡。 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻的作用：一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 UO DZ R RL + － R---串联在稳压电路中； ---必不可少！ ---取值合适（使稳压管 工作在击穿区） R---限流电阻 ---调整电阻 四、 应用电路 已知图示电路中，UZ=6V，最小稳定电流IZmin=5mA，最大稳定电流IZmax=25mA，负载电阻RL=600 Ω，求限流电阻R的取值范围。 R IR UO DZ RL IL IDZ + － UI=10V 解： 由： 得： u i O △u △i IZ UZ IZM 例4 14.5 晶体管 NPN型 PNP型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 P N P 集电极 基极 发射极 B C E Bipolar Junction Transistor------BJT 简称晶体管或三极管 双极型晶体管 晶体管的作用 电流控制和电流放大 开关作用 晶体管的类型 小功率管 中功率管 大功率管 一、晶体管的结构和符号 掺杂浓度高 掺杂浓度很低，且很薄 面积大 多子扩散 少子漂移 扩散运动 漂移运动 共射放大电路 1、电流形成 宏观电流： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成发射极电流 IB－复合运动形成基极电流 IC－漂移运动形成集电极电流 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 直流电流放大系数 交流电流放大系数 定义： 2、共射电流放大系数 共射放大电路 4.05 3.18 2.36 1.54 0.72 0.001 ?E/mA 3.95 3.10 2.30 1.50 0.70 0.001 ?C/mA 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0 ?B/mA + + _ _ + + _ _ 3DG100D 测试电路 V V 输入特性： 输出特性： 发射结电压uBE与基极电流iB的关系； 集电极电流iC与管压降uCE的关系。 三、晶体管的共射特性曲线 + + _ _ + + _ _ 3DG100D 测试电路 V V PN结的正向伏安特性 UCE增大曲线右移 UCE增大到一定值曲线右移 就不明显了 1. 输入特性 E C B iB uBE + - 对于小功率晶体管，UCE大于1V时输入特性稳定 饱和区 放大区 截止区 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 特点： ②曲线起始部分很陡， UCE≥1V后，较平坦。 ① 取不同的IB得曲线 族，IB增加，曲线上移。 1. 输出特性 iC uCE E C B + - B ) ( CE C I u f i = 晶体管的三个工作区域 ②放大区：线性区 特点：IC=βIB； 特点： IB≤0， IC ≤ ICEO≈0 ③饱和区： 特点：IC≦βIB。 饱和压降：UCES≈0.1V， IC取决于外电路。 uCE iC 0 IB=0 IB1 IB2 IB3 IB4 IB5 放 大 区 截止区 饱和区 条件：发射结反偏(UBE ≤UT)。 ①截止区： 的区域。 条件：发射结正偏(UBE ≤UT) ， 集电结反