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半导体基础知识(PN结).pptx 31页

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半导体基础知识;内容提要 1.1 什么是半导体 1.2 本征半导体 1.3 杂质半导体 1.4 PN结 1.5 PN结的整流特性 ;;硅锗的原子结构示意图;1.2本征半导体;1.2本征半导体;1.3杂质半导体;多出一个电子;半导体中产生大量的自由电子和正离子; 小 结 a.N型半导体是在本征半导体中掺入少量的五价杂质元素形成的。 b.N型半导体中产生大量的(自由)电子和正离子。 c.电子是多数载流子,简称多子;空穴是少数载流子,简称少子。 d.因电子带负电,称这种半导体为N(negative)型半导体。 e.因掺入的杂质给出电子,又称之为施主杂质。;负离子;半导体中产生大量的空穴和负离子; 小 结 a.P型半导体是在本征半导体中掺入少量的三价杂质元素形成的。 b.P型半导体中产生大量的空穴和负离子。 c.空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 d.因空穴带正电,称这种半导体为P(positive)型半导体。 e.因掺入的杂质接受电子,又称之为受主杂质。; 小 结 f.对于杂质半导体,多子的浓度越高,少子的浓度就越低。多子的浓度等于所掺杂质原子的浓度,其所受温度影响小;少子是本征激发产生的,尽管其浓度低,但对温度非常敏感,这将影响半导体器件的性能。 ;杂质半导体的转型 当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时,可将N型转为P型 当掺入五价元素的密度大于三价元素的密度时,可将P型转为N型;1.4 PN结的形成;在浓度差的作用下电子由N区向P区扩散(先在交界面进行);在浓度差的作用下空穴由P区向N区扩散;在浓度差的作用下,两边多子相互扩散,在P区和N区交界面上,留下了一层不能移动的正、负离子。;形成内电场;当扩散和漂移作用平衡时 a.流过PN结的净电流为零 b.PN结的厚度一定(约几个微米) c.接触点位一定(约零点几伏);1.5 PN结的整流特性;内电场被削弱;内电场增强;Is; 小 结 a.N型半导体是在本征半导体中掺入少量的五价杂质元素形成的。 b.N型半导体中产生大量的(自由)电子和正离子。 c.电子是多数载流子,简称多子;空穴是少数载流子,简称少子。 d.因电子带负电,称这种半导体为N(negative)型半导体。 e.因掺入的杂质给出电子,又称之为施主杂质。; 第二节 二极管相关知识;;

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