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半导体基础知识(PN结)
半导体基础知识;内容提要
1.1 什么是半导体
1.2 本征半导体
1.3 杂质半导体
1.4 PN结
1.5 PN结的整流特性
;;硅锗的原子结构示意图;1.2本征半导体;1.2本征半导体;1.3杂质半导体;多出一个电子;半导体中产生大量的自由电子和正离子; 小 结
a.N型半导体是在本征半导体中掺入少量的五价杂质元素形成的。
b.N型半导体中产生大量的（自由）电子和正离子。
c.电子是多数载流子，简称多子；空穴是少数载流子，简称少子。
d.因电子带负电，称这种半导体为N（negative）型半导体。
e.因掺入的杂质给出电子，又称之为施主杂质。;负离子;半导体中产生大量的空穴和负离子; 小 结
a.P型半导体是在本征半导体中掺入少量的三价杂质元素形成的。
b.P型半导体中产生大量的空穴和负离子。
c.空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
d.因空穴带正电，称这种半导体为P（positive）型半导体。
e.因掺入的杂质接受电子，又称之为受主杂质。; 小 结
f.对于杂质半导体，多子的浓度越高，少子的浓度就越低。多子的浓度等于所掺杂质原子的浓度，其所受温度影响小；少子是本征激发产生的，尽管其浓度低，但对温度非常敏感，这将影响半导体器件的性能。
;杂质半导体的转型
当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转为P型
当掺入五价元素的密度大于三价元素的密度时，可将P型转为N型;1.4 PN结的形成;在浓度差的作用下电子由N区向P区扩散（先在交界面进行）;在浓度差的作用下空穴由P区向N区扩散;在浓度差的作用下，两边多子相互扩散，在P区和N区交界面上，留下了一层不能移动的正、负离子。;形成内电场;当扩散和漂移作用平衡时
a.流过PN结的净电流为零
b.PN结的厚度一定（约几个微米）
c.接触点位一定（约零点几伏）;1.5 PN结的整流特性;内电场被削弱;内电场增强;Is; 小 结
a.N型半导体是在本征半导体中掺入少量的五价杂质元素形成的。
b.N型半导体中产生大量的（自由）电子和正离子。
c.电子是多数载流子，简称多子；空穴是少数载流子，简称少子。
d.因电子带负电，称这种半导体为N（negative）型半导体。
e.因掺入的杂质给出电子，又称之为施主杂质。; 第二节 二极管相关知识;;
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