半导体物理与器件1.ppt

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半导体物理与器件1

第一章 固体晶体结构 1.1 半导体材料 ⅡB ⅢA ⅣA ⅤA ⅥA B C N O Al Si P S Zn Ga Ge As Se Cd In Sn Sb Te 第一章 固体晶体结构 元素半导体 Si、Ge、C、 化合物半导体(高速器件和光电器件) AlP、GaP、 GaAs、InP GaN(微波、蓝光器件)、CdTe(薄膜太阳能电池)、SiC(高功率器件) AlGaAs、AlGaN CuInGaSe(CIGS) 、 CuZnSnS(CZTS) (薄膜太阳能电池) 氧化物半导体(高速器件和光电器件) ZnO、TiO2、SnO2 、AlxZn1-xO、GaxZn1-xO、InxSn1-xO2 BaNbxTi1-xO3 1.1 半导体材料 第一章 固体晶体结构 晶体的三种类型的示意图:(a)无定型 (b)多晶 (c)单晶 1.2 固体类型 第一章 固体晶体结构 有序化区域是指原子或分子有规则或周期性几何排列的空间范畴。 无定型材料只在几个原子或分子的尺度内有序。 单晶区域也称晶粒,在许多个原子或分子的尺度内有序的空间范畴。 多晶材料是由多个有序化区域构成的材料,它们由晶界相分离。 单晶材料则在整个范围都有很高的几何周期性。 1.2 固体类型 第一章 固体晶体结构 1.3.1原胞(Primitive Cell)和晶胞(Unit Cell) 晶胞是可以复制出整个晶体的一小部分晶体,晶胞并非只有一种结构。 原胞是可以通过重复形成晶格的最小晶胞。 1.3 空间晶格 第一章 固体晶体结构 1.3.2基本的晶体结构 简立方SC,Simple Cubic 体心立方BCC,Body-Centered Cubic 面心立方FCC,Face-Centered Cubic 三种晶格类型:(a)简立方 (b)体心立方 (c)面心立方 第一章 固体晶体结构 1.3.2基本的晶体结构 晶体中的原子体密度:体心立方 假设晶格常数a=0.5nm=5*10-8cm 体密度= 个原子/cm3 第一章 固体晶体结构 1.3.3 晶面和密勒指数 三种晶面:(a)(100)平面 (b) (110)平面 (c) (111)平面 第一章 固体晶体结构 原子面密度 简立方SC,Simple Cubic 体心立方BCC,Body-Centered Cubic 面心立方FCC,Face-Centered Cubic 第一章 固体晶体结构 晶向 三种晶向和晶面:(a)(100)平面和[100]方向 (b) (110)平面和[110]方向 (c) (111)平面和[111]方向 第一章 固体晶体结构 1.3.4金刚石结构(Diamond) 金刚石结构可以看着面心立方结构沿体对角线平移1/4距离所形成的复试晶格 也可以看着是由缺四个顶角原子的体心立方结构堆积而成。 硅具有金刚石结构 GaAs具有闪锌矿结构,也可以看着是由不同原子交替的金刚石结构 第一章 固体晶体结构 金刚石结构 第一章 固体晶体结构 GaAs闪锌矿结构 第一章 固体晶体结构 1.4原子价键(Atomic Bonding) 离子键(Ionic Bond)NaCl 共价键(Covalent Bonding)Si 金属键(Metallic Bonding)Cu 分子键(范德华键)(Van der Waals Bond)H2O 第一章 固体晶体结构 1.5固体中的缺陷与杂质 点缺陷(Point defect):空位Vacancy、填隙Interstitial 空位-填隙缺陷(弗兰克尔缺陷Frenkel) 空位-表面原子缺陷(肖脱基缺陷Schottky) 线缺陷(Line defect):位错Dislocation 刃位错(edge)、螺位错(Screw) 第一章 固体晶体结构 1.5固体中的缺陷与杂质 替位(取代)杂质 Substitutional Impurity 填隙杂质 Interstitial Impurity 第一章 固体晶体结构 1.6半导体材料的生长 熔体法(直拉单晶法)Czochralski 外延法Epitaxial: 气相外延CVD(Chemical Vapor Deposition)、PVD(Physical Vapor Deposition)、液相外延Liquid-phase Epitaxy、分子束外延MBE(Molecular Beam Epitaxy)、脉冲激光沉积PLD(Pulsed Laser Deposition )、原子层沉积ALD(Atomic Layer Deposition ) 练习题 P8: E1.1,E1.2/P9 E1.1,P12 T1.1 P10: E1.4加上(

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