Lecture7第二章2425影响PN结IV特性的因素2013.ppt

采用外延层结构：选择电阻率很低、掺杂浓度很高的硅片作为衬底N＋，在衬底上外延生长一层很薄的、掺杂浓度较低的N型外延层。在外延层上制作PN结。这样既减小了体电阻，又可满足反向击穿电压的需要。 解决的办法： 采用外延层结构 （三） 大注入的影响 硅PN结的正向大电流超过一定范围时，正向电流的实际值比理论计算值要低，其原因是因为小注入的条件遭到破坏。将注入非平衡少子浓度接近等于或大于平衡多子浓度的情况，称为大注入。 在大注入时，PN结电流－电压特性将发生变化。 注入P区的非平衡少子的浓度已接近等于或大于平衡多子浓度，即：Δn(-xp) ≥ pp0 ，注入P区的非平衡少子电子将产生积累，为了维持电中性要求必然要求多子空穴也有同样的积累，即有Δnp(-xp) =Δpp(-xp) ，且与少子具有相同的浓度梯度。多子空穴存在浓度梯度，必然使空穴产生扩散趋势，一旦空穴离开，P区的电中性就被破坏，在P区建立了一个电场E, 称为大注入自建电场。显然：该电场的方向是阻止空穴扩散，却加速了电子的扩散。 以PN＋为例： 2013,02-06 * 影响PN结I-V特性的因素 第二章 PN结 Lecture7：§2.4-2.5 一、空间电荷区复合电流和产生电流 1.正偏复合电流 2.反偏产生电流 二、隧道电流 三、其他影响因素 正偏时，由于空间电荷区内有非平衡载流子的注入，边缘的载流子浓度增加，以致于大于平衡载流子浓度（pn >ni2）。这些过量的载流子穿越空间电荷区，使得载流子浓度超过平衡值。空间电荷区会有复合，即： 空间电荷区内存在复合电流 1、正偏复合电流 一、空间电荷区复合电流和产生电流 空间电荷区内的复合电流 B A C D E F G H A’ B’ C’ D’ P区 N区 1、ABCD: 电子的注入电流，AB段：电子从N区注入到P区 后，与在B点与从左方来的空穴C复合。 2、A’B’C’D’: 空穴的注入电流，A’ B’段：空穴从P区注入到N区后，与在B’点与从右方来的电子C’复合。 3、EFGH：PN结空间电荷区中复合中心造成的复合电流。 注入的扩散电流和空间电荷区中的复合电流的区别： 复合地点不同；在电子或空穴扩散区中电子和空穴一个是多子，一个是少子，其浓度相差很大。在空间电荷区，位于禁带中央附近的复合中心能级Et处，有Et = Ei，即电子和空穴的浓度基本相等，所以通过空间电荷区复合中心的复合相对较强。 复合电流定义为： 空间电荷区的宽度 载流子通过复合中心复合的复合率 最大复合率（Et = Ei 时）： Et = Ei 可得: 最大复合率： n=p 在低电流水平时，复合电流成分占优势。 斜率增加，说明扩散电流在增加。 在高电流水平，串联电阻造成的较大欧姆电压降支配着电流-电压特性。 硅扩散结的电流-电压特性 斜率变化趋势 扩散电流在增加 复合电流成分占优势 P+N结扩散电流： 扩散电流与复合电流的比较： ？考虑PN+结 若 (ni /Nd) 越小，电压越低，则势垒区复合电流的影响越大。禁带宽度较小的半导体材料，ni 比较大。 （1）硅PN结：在小注入情况下，正向电流可能由势垒区的复合电流所控制。 （2）锗PN结：空间电荷区复合电流的影响可以忽略不计，正向电流按通常扩散电流的规律而变化。 （3）两种材料做成的PN结，当电压增加时，扩散电流的作用变得越来越主要。 硅、锗的禁带宽度分别为1.12eV和0.67eV,砷化镓为1.43eV PN结反偏时，由于空间电荷区对载流子的抽取作用，空间电荷区的载流子浓度低于平衡值（pn < ni2），所以产生率大于复合率，净产生率不为零，空间电荷区内存在产生电流。体内扩散电流来自PN结两侧P区和N区内产生的电子和空穴，而空间电荷区中的产生电流，是指空间电荷区中复合中心产生出来的电子－空穴对形成的电流。 2、反偏产生电流 反向电流产生的物理过程 B A C D E F G H A’ B’ C’ D’ P区 N区 CBAD: 反向电子扩散电流，在P区通过复合中心产生的电子A和空穴B，电子由A扩散到PN结空间电荷区，并被电场扫到N区流向右方，而空穴流向左方。 C’B’A’D’反向空穴扩散电流。 EFGH：PN结空间电荷区中复合中心产生的电子空穴对被电场分别扫进N区和P区，这个产生电流是反向扩散电流之外的一个附加的反向电流。 U<0 意味着正的产生率，所形成的电流是空间电荷区产生的电流而不是复合电流： 随着反向偏压的增大而展宽 空间电荷区复合中心的产生电流不像反向扩散电流那样会达到饱和值，而是随着反向偏压的增大而增大。这是因为，PN结空间电荷区随着反向偏压的增大而展宽，处于空间电荷区的复合中心数目增多，所以产生电流增大。 二、隧道电流 当P侧N侧均为重掺杂时，有些载流子可能穿透（代替越过