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光学基础知识及 LED 基本理论 第一部分 LED 基本理论知识 （一）LED 发光原理 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如 GaAs （砷化镓）、GaP （磷化镓）、GaAsP （磷砷化镓）等半导体 制成的，其核心是 PN 结。因此它具有一般P-N 结的 I-N 特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外， 在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N 区注入P 区，空穴由 P 区注入N 区。进入对 方区域的少数载流子 （少子）一部分与多数载流子 （多子）复合而发光，如图 1 所示。 图 1 假设发光是在 P 区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后， 再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心 （这个中心介于导带、介带中间附近） 捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的 比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近 PN 结面数 μm 以内产生。 理论和实践证明，光的峰值波长 λ与发光区域的半导体材料禁带宽度 Ｅg 有关，即  λ≈1240/Eg （mm） 式中 Eg 的单位为电子伏特 （eV）。若能产生可见光 （波长在 380nm 紫光～780nm 红光），半导体材料 的Eg 应在 3.26～1.63eV 之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极 管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。 （二）LED 的特性 1 1．极限参数的意义 （1）允许功耗 Pm:允许加于 LED 两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED 发 热、损坏。 （2）最大正向直流电流 IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 （3）最大反向电压 VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。 （4）工作环境 topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将 不能正常工作，效率大大降低。 2．电参数的意义 （1）光谱分布和峰值波长：某一个发光二极管所发之光并非单一波长，其波长大体按图 2 所示。 图2 由图可见，该发光管所发之光中某一波长 λ0 的光强最大，该波长为峰值波长。 （2）发光强度 IV：发光二极管的发光强度通常是指法线 （对圆柱形发光管是指其轴线）方向上的发 光强度。若在该方向上辐射强度为 （1/683）W/sr 时，则发光 1 坎德拉 （符号为 cd）。由于一般LED 的发 光二强度小，所以发光强度常用坎德拉 (mcd)作单位。 （3）光谱半宽度 Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图 3 中 1/2 峰值光强所对应两波长之间隔. （4）半值角 θ1/2 和视角： θ1/2 是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向 （法向）的夹 角。 半值角的 2 倍为视角 （或称半功率角）。 2 图 3 给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线 （法线）AO 的坐标为相对发光强 度 （即发光强度与最大发光强度的之比）。显然，法线方向上的相对发光强