屏蔽 基-础知识2.doc

用钢筋和金属框架构成的大空间屏蔽体 注：对大型建筑物来说，在每一点上焊接或夹接是不可能的。但是通过直接接触或用铁丝绑扎，绝大多数的点可做到自然互连。因此，每隔大约1m作一连接，将是实际可行的方法。 邻近雷击的情况 Sa：雷击点与被屏蔽空间的平均距离 24 建筑物内环路中的感应电压及电流设计技术评价 24.1 由各种装置构成的环路中感应电压及电流的计算 此处考虑图7所示的矩型环路，如果是其它形状的环路，应将其转换为具有相同环路面积的矩形环路。 24.2邻近雷击下，环路在LPZ1内部时的感应电压及电流 假设LPZ1内部Vs空间内的磁场强度H1是均匀的。 开路电压Uoc： （V） 在波前时间T1期间，Uoc的最大值Uoc/max为： （V） 式中： μo——真空磁导率，其值等于[V·S/(A·m)]； b ——环路的宽度(m)； H1——LPZ1内部随时间而变的磁场强度（A/m）； H1/max——LPZ1内部磁场强度的最大值（A/m）； l ——环路的长度(m)； T1——磁场强度波形的波前时间(s)，与雷击电流波形的波头时间相同。 如果忽略导线的欧姆电阻（最坏情况），则短路电流isc为： （A） isc的最大值Isc/max为： （A） 式中：L为环路自感,单位为亨(H)。 对于矩形环路： 式中：r为环路导线的半径（m）。 首次雷击（T1=10μs）磁场强度H1/f感应的最大电压和电流分别为： （V） （A） 后续雷击（T1=0.25μs）磁场强度H1/s感应的最大电压和电流为： （V） （A） 式中： H1/f/max——LPZ1内部首次雷击的磁场强度最大值（A/m）； H1/s/max——LPZ1内部后续雷击的磁场强度最大值（A/m）。 24.3 建筑物遭直接雷击下，环路在LPZ1内部时的感应电压及电流 LPZ1内部Vs空间内的磁场强度H1为： （A/m） 对于开路电压Uoc，按下式计算： （V） 在波前时间T1期间，Uoc的最大值Uoc/max： （V） 式中： μo——真空磁导率,其值为4π·10-7[V·S/(A·m)]； b ——环路的宽度（m）； dl/w——环路与屏蔽体侧面的距离（m），dl/w≥ds/2； dl/r——环路与屏蔽体顶部的平均距离（m）； io——LPZ0A中的雷电流（A）； io/max——LPZ0A中雷击电流的最大值（A）； KH——形状系数（），取KH=0.01（）； l ——环路的长度（m）； T1——LPZ0A中雷击电流的波头时间（s）； w——格栅形屏蔽网格宽度（m）。 如果忽略导线的欧姆电阻（最坏情况），短路电流isc为： （A） Isc的最大值Isc/max由下式得出： （A） 式中：L为环路的自感（H）。 自感L的计算见B.1。 首次雷击（T1=10μs）中,磁场强度Hl/f/max感应的电压和电流分别为： （V） （A） 后续雷击（T1=0.25μs）中,磁场强度H1/s/max感应的电压和电流分别为： （V） （A） 式中： if/max——首次雷击电流的最大值（kA）； is/max——后续雷击电流的最大值（kA）。 24.4 环路在LPZn（n≥2）内部的感应电压及电流 假定LPZn中的磁场强度Hn是均匀的，因此，B.1中给出的计算感应电压和电流的公式同样适用。式中，H1用Hn代替。 环路中的感应电压及电流 25 格栅形磁场屏蔽体内部磁场强度设计技术评价 25.1 计算中，考虑格栅形屏蔽体的每一条钢筋与其它钢筋包括模拟的雷电通道之间的磁场耦合，从而产生一个方程组以计算雷电流在格栅形屏蔽体中的分布，并由该电流分布导出屏蔽体内部的磁场强度。当忽略各条钢筋的电阻时，格栅形屏蔽体中的电流分布和磁场强度与频率无关。同时，如果忽略电容性耦合，可不考虑瞬态效应。 25．2在图C.2、C.3中给出了图C.1所示第一类格栅形屏蔽的若干计算结果。所有情况