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硬件设计中一些术语简称.pdf
硬件设计中一些术语的简称
1.什么是 BOM
2.什么是 LDO
3.什么是 ESR
4.什么是 TTL
5.什么是 MOS、NMOS、PMOS、CMOS
6.什么是 OC、OD
7.什么是线或逻辑与线与逻辑
8.什么是推挽结构
9.什么是 MCU、RISC、CISC、DSP
10.什么是 FPGA 和 ASIC
11.FPGA 与 CPLD 的异同点
1.BOM(BillOfMaterial),是制造业管理的重点之一,简单的定义就是“记载产品组成所需使
用材料的表”。以一个新产品的诞生来看:首先是创意与可行性研究的初期过程,接下来的过
程就是初步的工程技术分析与原型产品的设计,等到原型产品比较稳定后,经过自制或外购
分 析 (MakeorBuyAnalysisandDecision) 后 就 会 产 生 第 一 版 的 工 程 料 表
(EBOM,EngineeringBOM)。到正式量产之前,第一版的生产料表(PBOM,ProductionBOM)必须要
先完成,以便企业内的相关部门有所遵循。在此之后,就进入了正常的例行维护阶段。
2. 什么是 LDO(低压降)稳压器?
LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET,从应用
的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。所谓压降电压,是指稳压器将输出
电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电
压的 LDO(低压降)稳压器通常使用功率晶体管(也称为传递设备)作为 PNP。这种晶体管
允许饱和,所以稳压器可以有一个非常低的压降电压,通常为 200mV 左右;与之相比,使用
NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的
传递设备,其运行模式与正输出 LDO 的 PNP 设备类似。更新的发展使用 CMOS 功率晶体管,
它能够提供最低的压降电压。使用 CMOS,通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的
ON 电阻造成的。如果负载较小,这种方式产生的压降只有几十毫伏。
3.什么是 ESR
电容的等效串联电阻,越低的话 Q 值越小。
4.什么是 TTL
Transistor-Transistor Logic 晶体管-晶体管逻辑电路 (双极性型电路,指包含电子和
空穴两种极性的载流子)
5.什么是 MOS、NMOS、PMOS、CMOS
MOS(Metal-OxideSemiconductor 金属-氧化物半导体场效应管,单极性)有增强型和耗
尽型两种,主要是以下三类:
P 沟道增强型管构成的 PMOS 电路
1
N 沟道增强型管构成的 NMOS 电路
PMOS 和 NMOS 构成的 CMOS(互补 MOS,Complementary Metal-Oxide-Semiconductor
Transistor 互补型金属氧化物半导体)电路
6.什么是 OC、OD
集电极开路门(集电极开路 OC 或源极开路 OD)。open-drain 是漏极开路输出的意思,
相当于集电极开路(open-collector)输出,即 ttl 中的集电极开路(oc)输出。一般用于线
或、线与,也有的用于电流驱动。open-drain 是对 mos 管而言,open-collector 是对双极型
管而言,在用法上没啥区别。
开漏形式的电路有以下几个特点:
a. 利用外部电路的驱动能力,减少 IC 内部的驱动。 或驱动比芯片电源电压高的负载.
b.可以将多个开漏输出的 Pin,连接到一条线上。通过一只上拉电阻,在不增加任何器件
的情况下,形成“与逻辑”关系。这也是 I2C,SMBus 等总线判断总线占用状态的原理。如果
作为图腾输出必须接上拉电阻。接容性负载时,下降延是芯片内的晶体管,是有源驱动,速度
较快;上升延是无源的外接电阻,速度慢。如果要求速度高电阻选择要小,功耗会大。所以负
载电阻的选择要兼顾功耗和速度。
c. 可以利用改变上拉电源的电压,改变传输电平。例如加上上拉电阻就可以提供
TTL/CMOS 电平输出等。
d. 开漏 Pin 不连接外部的上拉电阻,则只能输出低电平。一般来说,开漏是用来连接不
同电平的器件,匹配电平用的。
正常的 CMOS 输出级是上、下两个管
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