三极管和场效应管原理讲解.doc

三極管及場效應管原理講解 大綱: 一 三極管與場效應管的簡介 二 三極管與場效應管的工作原理 三 三極管與場效應管的區別 四 三極管與場效應管的實際應用 一 三極管與場效應管的簡介 三機管的簡介 半導体三極管又稱晶体三極管,簡稱晶體管.它是由三塊半導体組成,構成兩個PN結,即集電結和發射結,基結3個電極,分別是集電極,基極,發射極,如下圖所示: C C B B E E B為基極,C為集電極,E為發射極 半導体三極管 TRANSISTOR Test # Description 1 hFE Forward-current transfer ratio 2 VBE Base emitter voltage(see also Appendix F) 3 IEBO Emitter to base cutoff current 4 VCESAT Saturation voltage 5 ICBO Collector to base cutoff current 6 ICEO Collector to emiter cutoff current ICER, with base to emiter load ICEX, reverse bias,or ICES short(see also Appendix F) 7 BVCEO Breakdown voltage,collector to emitter, BVCER with base to emiter load, BVCEX reverse bias,or BVCES short(see also Appendix F) 8 BVCBO Breakdown voltage,collector to base 9 BVEBO Breakdown voltage,emitter to base 10 VBESAT Base emitter saturation voltage 2 .場效應管簡介 場效應管又稱金属-氧化物-半導体場效應管,也就是我們通常所說MOS( Metal Oxide Semiconductor )管. 場效應管是一種由輸入信號電壓來控制其輸出電流大小的半導体 場效應管,是電壓控制器件,輸入電阻非常高. 場效應管分為:結型場效應管(JFET)和絕緣栅型場效應管(IGFET)兩大類. 結型場效應管 JEFT Test # Description 1 VGSOFF Gate to source cutoff voltage. 2 lDss Zero gate voltage drain current. 3 BVDGO Drain to gate breakdown voltage. 4 IGSS Gate reverse current. 5 IDGO Drain to gate leakage. 6 IDOFF Drain cut-off current. 7 BVGSS Gate to source breakdown voltage. 8 VDSON Drain to source on-state voltage. 結型場效應管有N型和P型溝道兩種,電路符號如下 d d 結型場效應管有三極:珊極 g g 源極 N型 s P型 s 漏極 結型場效應管有兩個PN結,在栅源極上加一定電壓,在場效應管內部會形成一個導電溝道,當d,s極間加上一定電壓時,電流就可以從溝道中流過,即通過源電壓來改變導電溝道電阻,實現對漏極電流的控制. 結型場效應管的主要參數 夾斷電壓UDS(off),當UDS等于某一個定值(10v),使Id等于某一 個微小電流(如50uA)時, 栅源極間所加的UGS即為夾斷電壓. UDS(off)一般為1~10V. 飽和漏極電流IDS:當UGS=0時,場效應