利用仿真对SiC双极元件进行开发.PDFVIP

为产品开发提供支持的 专辑 仿真技术 利用仿真对 SiC 双极元件进行开发 Development of SiC Bipolar Devices Using Simulation MATSUNAGA, Shinichiro TAKEI, Manabu 松永 慎一郎 武井　　学 双极元件有利于宽禁带半导体 SiC（碳化硅）元件实现 13 kV 以上的高耐压。富士电机对仿真的预测和实测结果间的差异 进行解析，通过反复修正参数，改善了预测精度。通过实施耐压特性仿真、正向特性仿真、开关特性仿真，将测定的物性值反 映到参数中，并考虑了界面电荷、寄生电阻，基本上重现了实际元件的特性。 In SiC (silicon carbide) devices, which are wide band-gap semiconductors, bipolar devices are considered beneficial for achieving a high 辑 专 withstand voltage in excess of 13 kV. Fuji Electric has improved prediction accuracy by repeatedly adjusting parameters based on the analysis of differences between simulation predictions and actual results. We implemented withstand voltage characteristic simulations, forward characteristic 术 技 真 仿 的 持 支 供 提 发 开 品 产 ：为 simulations, and switching characteristic simulations, and then reflected the measured physical property values into the parameters, while also taking into account interface charges and parasitic resistance. As a result, we were able to reproduce with a high level of accuracy the characteristics of actual devices. 1　引言 利用仿真预测理想特性，再与实测结果比较，便可明确 元件的问题点，有助于改良。对于各种物性参数的识别和工 近年来，作为功率元件中使用的半导体，宽禁带半导 艺依赖性，也可将试制后得到的电气特性的测定结果与仿真 体已取代传统 Si（硅）开始实用化。由于其本征载流子浓度 进行匹配，从而改善精度。 低，相比 Si，如果不外加高温和高电场，就