设计的理想组合.PDFVIP

+ 新型 1200V SPT 芯片技术和 17mm 的 IGBT 功率模块平台――最先进逆变器 设计的理想组合 C. Daucher*, D. Seng**, A. Wahi** * SEMIKRON Elektronik GmbH Co. KG, Sigmundstrasse 200, D-90431 Nuernberg, Germany **SEMIKRON International GmbH, Sigmundstrasse 200, D-90431 Nuernberg, Germany Aseem.Wahi@, +49 (911) 6559-243 摘要 在具有重要意义的 1200V 电压等级的市场上，SEMIKRON 推出了 17mm 厚的扁平化的 采用 SEMIX 功率模块封装的下一代软穿通（SPT）IGBT，即 SPT+，作为今后开发其它产 品的产品平台。 + 和以前的软穿通芯片模块相比，SPT 模块的开关损耗和导通损耗都要低。芯片的自 锁模式及其极富创新的SEMIX封装使得客户可以容易地设计出成本低，结构紧凑的逆变 器。本文介绍了SPT+的电气性能测试结果并和以前的SPT芯片进行了比较。 简介 现代逆变器设计的主要目的就是在不增加成本的情况下减小它的体积，增加功率等 级和逆变器功能。直到最近，为了实现最低的功率损耗而选用正确的硅技术一直是人们 首先考虑的最重要的因素之一。现今由于 IGBT 技术的成熟，其它的一些因素如模块的 动态特性（电磁兼容性，过压），封装设计以及运行参数等都变得同等重要了。 a) SPT+芯片 软穿通芯片（SPT）设计是基于平板型门极/非穿通型 IGBT 技术基础上的。与其它 的一些 IGBT 技术相比，在大多数应用中，它具有如下一些优势，如低开关损耗，大的 芯片规模，正的温度系数以及比较低的晶片生产成本。SEMIKRON 在 2003 年就已成功地 将这种芯片用于他们标准的75A以上的模块系列当中。 + 去年，SEMIKRON 发明了 SPT IGBT 技术，现今该技术已经实现产业化〔1〕。将平 + 板型门极结构和软穿通n＋缓冲层相结合就形成了SPT 芯片。 GateGate EmitterEmitter nn pp n-n- n+n+ p+p+ CollectorCollector + 图1 平板型SPT IGBT基本单元的结构原理图 + 与早期的软穿通 IGBT 芯片相比，新型的软穿通技术 SPT 改善了载流子的分布图。这种 改进减小了芯片尺寸并改善了它的电性能。然而芯片的性能还极大地取决于芯片的封装 设计技术。 b) SEMIX 封装平台 SEMIKRON推出了用于IGBT模块封装的最高技术水平的封装平台SEMIX(图2)，如今 它也用在整流桥的封装上〔3〕。SEMIX 最明显的特征就是 17mm 高的交流端子和直流端 子分别位于封装外壳的两个相对的边上，而其它的辅助接触端子是采用弹簧来实现的。 这种封装结构使其使用者可以轻易对输入和输出部分进行分离，从而实现低感直流母排 的布线。门极驱动电路可以不通过焊接直接安装在功率模块的上面。因此就