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习题 超导材料YBa2Cu3O7?x (x~0.2) 类钙钛矿结构(存在VO) 钙钛矿(perovskite)结构 化学气相迁移法(Chemical Vapor Transport, CVT) 制备硫化物单晶 某些碱金属的嵌入化合物的与MS2相比的 层间距的改变 1.35 2.14 2.45 3.66 Na0.6MoS2 K0.4MoS2 Rh0.3MoS2 Ca0.3MoS2 1.60 1.17 1.92 2.24 2.67 KZrS2 NaTiS2 KTiS2 RbSnS2 KSnS2 ?d/? 化合物 ?d/? 化合物 用电嵌入法(intercalation)或者插入法（insertion)将Li掺入到TiS2时电势差与组成的关系图 形成的是固溶体还是分离的相？ Y2O2S:Eu3＋的制备和发光 助熔剂法合成Y2O2S:Eu3＋的基本过程： Y2O3 ＋Eu2O3＋flux（S + Na2CO3 +??）? Y2O2S:Eu3+ + flux residuals (Na2Sx + Na2SO4) + Gaseous products (HS + SO4 + CO2 + O), 温度范围约为1000－1200?C Y2O2S:Eu3+的粉末XRD图谱 ? ? Y2O2S:Eu3+的SEM照片 实验样品与商用Y2O2S:Eu3+粉的光致发光谱强度比较 Y2O2S:Eu3+的发射光谱 只是当浓度超过一定值时（15％），杂质缺陷浓度增加产生一定的晶格畸变，发生浓度猝灭。 Eu3+的掺杂浓度Y2O2S:Eu3+的发光强度的影响 第10章 2，4，6，7，9 思考题： 找出下列各对化合物中，每对中的哪一个可能有较高浓度的缺陷？并分析可能出现的缺陷类型。 1. NaCl NiO; 2. CaF2 PbF2 3. Al2O3 Fe2O3 * * 第10章 固体无机化学 无机化学 配位化学 固体化学 其他（纳米化学等） 金属有机 生物无机 分子基材料 无机超分子 固体表面 固体体相 1. 无机固体的基本结构(结构化学) 2. 固体的能带结构 3. 固体的缺陷 4. 功能性质 5.无机固体表征 6.无机固体制备 无机固体化学 d4电子组态强场低自旋 d4电子组态弱场高自旋 配合物分子的磁性 一、固体材料和分子功能性质的差别 测量物质磁性的磁天平 铁磁性物质的磁矩平行取向 (?-Fe, Ni, Co) 协同磁性质---固体中的特殊的功能性质 反铁磁性物质的磁矩反平行 取向（Cr2O3, MnO, 铁氧体) 顺磁性、铁磁性和反铁磁性物质磁化率和温度的关系 反磁性物质的磁化率和温度的关系如何？ 固体中金属原子和配体电子的反铁磁偶合（超交换作用） 当n?? 时的线性氢原子链Hn的能级分布图 分子轨道（MO）理论的延伸: 有限到无限,一维到三维 二、晶体中的分子轨道和能带 （a） (b) (c) 半导体的能带结构示意图 (a)本征半导体, (b) n-型半导体，(c) p-型半导体 能隙 ( band gap) 杂质产生局域能级 价带 (满带) 导带 (空带) 第14族元素的能隙宽度 绝缘体 半导体 半导体 半导体 金属 金属 6.0 1.1 0.7 0.1 ~ 0 ~ 0 金刚石 Si Ge 灰Sn(13°C) 白Sn (13°C) Pb 材料类型 能隙宽度（eV) 元素 金属中的能带 （a）窄带( s和 p带的相互作用弱，一般情况 ） （b）宽带 ( s和 p带的相互作用强，碱金属） T = 0K 和 T?0K的费米分布图 金属的能带结构图 能级数(能态的密度)不均匀, 在实际能带图中，用横坐标作为能态密度 (density of states，DOS) 半金属的能带结构图 TaS2的结构，Ta位于S的八面体空穴， MoS2的结构，Mo位于S的三棱柱空穴 （a) ZrS2 (d0) 半导体 （b) MoS2 (d2)和NbS2 (d1) 半导体 金属性导体 部分金属二硫化合物的能带结构 缺陷是固体材料的核心 影响材料的机械性能、电性质、光学性质和化学活性 缺陷分类： 本征缺陷（intrinsic defect) : 由物质本身的结构形成 杂质缺陷（ extrinsic defect) : 由外来引入的杂质形成 点缺陷（point defect)：零维 扩展缺陷（ extended defect)：一维，二维，三维 三