第 6 篇存储器.pptVIP

半导体存储器的分类 读写存储器（RAM） 只读存储器（ROM）; 存储器存储器是信息存放的载体，是计算机系统的重要组成部分。存储器的容量越大，存放的信息就越多，计算机系统的功能也就越强。; 目前在CPU与主存储器之间还有一层称为高速缓冲存储器(Cache)。Cache容量较小，其工作速度几乎与CPU相当。 主存储器（内存条）容量较大，目前一般为128MB或256MB，工作速度比Cache慢。 外存储器容量大，目前一般为几十吉字节(GB)，但工作速度慢。; 半导体存储器从使用功能上划分，可分为两类： 读写存储器RAM又称为随机存取存储器；只读存储器ROM。 RAM主要用来存放各种现场的输入输出数据、中间计算结果。它的存储单元的内容按照需要既可以读出，也可以写入或改写。 ROM的信息在使用时是不能改变的，也就是不可写入的，它只能读出，故一般用来存放固定???程序，如微型计算机的管理、监控程序，汇编程序等，以及存放各种常数、函数表等。;图6-2半导体存储器的分类;1. 双极型RAM的特点 存取速度高； 集成度较低(与MOS相比)； 功耗大； 成本高。双极型RAM主要用在速度要求较高的微型计算机中或作为Cache。 2. MOS RAM 用MOS器件构成的RAM，又可分为静态RAM(用SRAM表示)和动态RAM(用DRAM表示)两种。; ① 用由6管构成的触发器作为基本存储电路； ② 集成度高于双极型但低于动态RAM； ③ 不需要刷新，故可省去刷新电路； ④ 功耗比双极型的低，但比动态RAM高； ⑤ 易于用电池作为后备电源以保持RAM中的信息。 ⑥ 存取速度较动态RAM快。 ; ① 基本存储电路用单管线路组成(靠电容存储电荷)； ② 集成度高； ③ 比静态RAM的功耗更低； ④ 价格比静态便宜； ⑤ 因动态存储器靠电容来存储信息，由于总是存在有泄漏电流，故要求刷新(再生)。典型的是要求每隔1ms刷新一遍。;1. 掩模ROM 由半导体厂商按照某种固定线路制造的，制造好以后就只能读不能改变。这种ROM成本较低，但不适用于研究工作。 2. 可编程序的只读存储器PROM(Programmable ROM) 为了便于用户根据自己的需要来写ROM，就发展了一种PROM，可由用户对它进行编程，但这种ROM用户只能写一次，目前已不常用。 3. 可擦去的可编程只读存储器EPROM(Erasable PROM) 4. FLASH闪烁存储器; 基本存储电路是组成存储器的基础和核心，它用来存储一位二进制信息： “0”或“1”。在MOS存储器中，基本存储电路分为静态存储电路和动态存储电路两大类。; 静态存储电路是由两个增强型的NMOS反相器交叉耦合而成的触发器，如图6-3(a)所示。 ;图6-3; 当X的译码输出线为高电平时，则T5、T6管导通，A、B端就与位线D0和D0相连； 当这个电路被选中时，相应的Y译码输出也是高电平，故T7、T8管(它们是一列公用的)也是导通的，于是D0和D0 (这是存储器内部的位线)就与输入输出电路I/O及I/O(这是指存储器外部的数据线)相通。 ; 当写入时，写入信号自I/O和I/O线输入，如要写“1”则I/O线为“1”，而I/O线为“0”。它们通过T7、T8管以及T5、T6管分别与A端和B端相连，使A=“1”，B=“0”，就强迫T2管导通，T1管截止，相当于把输入电荷存储于T1和T2管的栅极。 当输入信号以及地址选择信号消失后，T5、T6、T7、T8都截止，由于存储单元有电源和两负载管，可以不断地向栅极补充电荷，所以靠两个反相器的交叉控制，只要不掉电就能保持写入的信号“1”，而不用再生(刷新)。; 在读出时，只要某一电路被选中，相应的T5、T6导通，A点和B点与位线D0和D0相通，且T7、T8也导通，故存储电路的信号被送至I/O与I/O线上。 读出时可以把I/O与I/O线接到一个差动放大器，由其电流方向即可判定存储单元的信息是“1”还是“0”；也可以只有一个输出端接到外部，以其有无电流通过而判定所存储的信息。 这种存储电路，它的读出是非破坏性的，即信息在读出后仍保留在存储电路内。 ;2. 单管动态存储电路 单管存储电路如图6-4所示。写入时，字选择线为“1”，T1管导通，写入信号由位线(数据线)存入电容C中；在读出时，选择线为“1”，存储在电容C上的电荷，通过T1输出到数据线上。每次读出后，存储内容就被破坏，要保存原先的信息必须采取恢复措施。;6.2.2 RA