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Array基板Process flow AFFS LTPS 12PEP From：LTPS training8th PEP1 （LS） 沉膜前清洗，去除Particle LS (遮光层)：材料可为a-Si，metal等吸遮光材料。防止Poly受到强光照射产生光生载流子，导致器件漏电流增大。 LS作用：遮蔽背光，减少其对半导体电性的影响。LTPS 采取Top Gate设计 （顶栅结构，TN产品为Bottom Gate，顶栅结构）LTPS受背光源影响，会产生光电漏电，影响Device性能  PEP2(poly) NMOS PMOS Pad a-Si Poly Poly 3Layer的作用：缓冲层，防止玻璃基板中的杂质在热制程中扩散到LTPS中，降低漏电流。 （SiNx隔绝离子的能力较强与玻璃接触的应力较小，SiOx与多晶硅界面润湿角比较好，故采用SiNx/SiOx的堆叠方式). ELA：Excimer Laser Annealing 即准分子激光退火，指通过准分子激光对a-Si进行照射，实现a-Si薄膜向多晶硅薄膜（Poly-Si）的转变  SiO2 SiNx PEP3(NCD) NCD:N Channel doping，调整TFT Vth阈值电压。所用气体为BF3. Ash目的: 由于implant导致PR表面发生碳化，膜质变的致密难剥离