射频电路课程考核设计--报告.doc

射频电路课程考核设计 题目： 宽频带大功率放大器研究 学 院 电子信息工程学院 学科门类 工 学 专 业 电子信息工程 学 号 1208421026 姓 名 xxxx 指导教师 倪春 2016年03月26日 摘 要 关键词: 目 录1. 引言 1.1课题背景 二十世纪时，意大利的马可尼验证了电磁波具有携带传播信息的能力。人类社会开始进入无线通讯时代。 传统通讯业务仅包含语音通话。伴随着人类社会文化活动的发展和丰富,新型的业务不断涌现且广受用户青睐。 作为收发信机中最主要的耗能部件,功率放大器如果不能高效工作,必然引起资源损耗加重温室效应，等等问题都会出现，增加成本。可以见得,低效率的功率放大器显然不符合当今以节能减排,生态环保为主旨的发展趋势要求。 1.2宽频带谐波类放大器的发展现状 因为本次研究的逆F类放大器在电路中添加了谐波抑制电路，属于宽频带谐波类放大器，且目前国内对F功放的研究还不够成熟普遍，为了大家便于理解谐波类放大器，此次介绍研究现状没有仅仅是介绍逆F类放大器的发展情况，而是对整个谐波类放大器进行介绍。 GaN HEMT相比于其他半导体材料具有高截止频率,大功率密度,高击穿电压等优点，因此得以受到研究人员们的广泛青睐,在谐波控制类功放模块设计中作为热门器件备受瞩目。最近一段时间,经常可以在国内外期刊会议上听到采取半导体结合谐波控制技术的工艺来达到高功放的成果发表的报道。 2008-2011年期间,加拿大卡尔加里大学的David Wu釆用卡尔公司的GaN HEMT CGH40010晶体管作为功放核心设计出的逆F类功率放大器在3.27GHz时其峰值效率最大已经能达到71%[1]。日本东京电气通信大学的研究人员们在F类放大器的理论基础上设计出了在C波段漏极效率为71.4%的GaN功放模块[2]。2010年末，美国科罗拉多大学的M. Roberg选用Triquint公司的碳化硅基氮化镓裸片,实现了一款应用于WCDMA下行链路的逆F类功率放大器,其功率附加效率超过了80%,这代表着目前高效率功放设计的最高水平[3]。 从上面结果看,半导体工艺的逐渐发展成熟带动了谐波类高效率功放的发展。并且,由于其在各领域适用性,谐波类功放技术在业界已经受到了广泛的关注从而使得这一领域的研究具有宽广的发展前景。 然而,在谐波控制基础上提升功放效率的技术在理论研究与实际操作中虽然已经取得了一些成果和进展,但仍存在许多问题与难点亟待解决，如何更加有效地将谐波控制理念融入系统设计中仍然方兴未艾。 1.3本论文的研究内容 本论文是对谐波类PA展开研究。以逆F类为代表,学习谐波类高效率功放相关知识。同时探索该类功放在S波段的效率。然后,通过ADS仿真结合实际电路验证理论推导以及设计方案的合理性与可靠性。 本文具体的章节安排如下： 第一章，绪论。本章内容包括：课题背景，宽频带谐波类放大器的研究现状以及本论文的研究内容及安排介绍，让大家首先对本课题有一个初步印象和大致了解。 第二章，射频功放基本理论与分析方法。本章由三部分内容构成，分别是功率放大器的基本理论，逆F类放大器的分析和S波段宽频带逆F类放大器的设计。S波段宽频带逆F类放大器的设计由S波段宽频带介绍，设计指标和宽带高效率功率放大器实现的思路和计划三小节构成。 第三章，S波段逆F类放大器的仿真及优化分析。本章由四部分内容构成，分别是对制作的逆F放大器的原理分析和实现思路，详细说明了该放大器为何能实现高效率的原因和实现高效率的思路。本章是运用ADS软件构建电路，在第二章的理论基础上设计出一个简单的逆F类放大器。 ，实物加工。本章由两部分内容构成，分别是实物S波段宽频带逆F类放大器的加工，实物S波段宽频带逆F类放大器的测试和测试结果与仿真结果的对比分析。本章是在第三章的基础上，将用软件仿真得到的逆F类放大器加工成实物，并将两者结果进行对比。 第五章，总结。对设计内容进行一个整体的回顾，阐述自己的心得体会，反思设计中的不足，从而使自己以后不再犯类似错误。 第六章，感谢。回顾自己本次设计的历程，感谢帮助过自己的人。 2. 射频功率放大器的基本理论及分析 本章分为八个部分，包括放大器的基本理论，功率放大器的分类，S波段宽频带逆F类PA设计等，一共八节，从理论方面介绍了本次设计的研究内容。 前两小节主要是介绍功率放大器的基本知识，包括功率放大器的主要研究指标和分类以及其常用分析方法，因为本课题研究的仅仅是功率放大器中的一个枝节，为节约不必要的时间和精力，故只是通过两小节介绍，不再