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3.7 BJT的功率特性 晶体管在大电流、大功率和高电压下的一些特性。 3.7.1 大注入效应 3.7.2 基区扩展效应 3.7.3 发射结电流集边效应 3.7.4 BJT的 参数与温度的关系 3.7.5 二次击穿与安全工作区 3.7.1 大注入效应 大注入时晶体管的α、β与器件内部参数的关系。 什么是大注入效应？ 当基区发生大注入时，基区会有一个内建场。 分析方法是： 1、求任意注入下的基区内建场E，令多子电流密度为零，求E的表达式 。 2、任意注入下的基区少子电流。 3、任意注入下的基区渡越时间τb与输运系数β*。 4、任意注入下的发射结注入效率γ。 5、大注入下的α、β。 3.7.2 基区扩展效应 VBC不变，IC变大，WB变大。 原因：载流子电荷对集电结势垒区的电荷分布产生影响，使中性基区变宽。 3.7.3 发射结电流集边效应 由于基极电阻存在，该电阻上有压降，使发射极不同位置偏压不同，发射极电流也不同，距离基极接触越近发射极电流越大，越远电流越小，这种现象即发射结电流集边效应。 1、发射极有效条宽 2、发射极金属电极的有效长度 3.7.4 BJT的 参数与温度的关系 温度系数 绝对温度系数 相对温度系数 1、反向截止电流与温度的关系 2、IE,IC与温度的关系 3、IE,IC不变，VBE与温度的关系 3.7.5 二次击穿与安全工作区 什么是二次击穿? 安全工作区一般由厂家给出。
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