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第六章 铸造多晶硅 第六章 铸造多晶硅 自20世纪80年代铸造多晶硅发明和应用以来，增长迅速； 80年代末期它仅占太阳电池材料的10%左右，而至1996年底它已占整个太阳电池材料的36%左右，它以相对低成本、高效率的优势不断挤占单晶硅的市场，成为最有竞争力的太阳电池材料。 21世纪初已占50%以上，成为最主要的太阳电池材料。 第六章 铸造多晶硅 直拉单晶硅为圆片状 不能有效地利用太阳电池组件的有效空间，相对增加了太阳电池组件的成本。 直拉单晶硅需要更多的“人力资源”，如在晶体生长的“种晶”过程，所以也增加了人力成本。 第六章 铸造多晶硅 第六章 铸造多晶硅 第六章 铸造多晶硅 6.1 概述 6.2 铸造多晶硅的制备工艺 6.3 铸造多晶硅的晶体生长 §6.1 概述 §6.1 概述 与直拉单晶硅相比，铸造多晶硅的主要优势： 材料的利用率高、能耗小、制备成本低，而且其晶体生长简便，易于大尺寸生长。 缺点： 含有晶界、高密度的位错、微缺陷和相对较高的杂质浓度 ，其晶体的质量明显低于单晶硅，从而降低了太阳电池的光电转换效率。 §6.1 概述 §6.1 概述 材料制备方面，平面固液相技术和氮化硅涂层技术等技术的应用、材料尺寸的不断加大。 在电池方面，SiN减反射层技术、氢钝化技术、吸杂技术的开发和应用，使得铸造多晶硅材料的电学性能有了明显改善，其太阳电池的光电转换率也得到了迅速提高。 §6.1 概述 §6.1 概述 由于铸造多晶硅的优势，世界各发达国家都在努力发展其工业规模。 自20世纪90年代以来，国际上新建的太阳电池和材料的生产线大部分是铸造多晶硅生产线，相信在今后会有更多的铸造多晶硅材料和电池生产线投入应用。 目前，铸造多晶硅已占太阳电池材料的53%以上，成为最主要的太阳电池材料。 §6.2 铸造多晶硅的制备工艺 铸造技术制备多晶硅的主要工艺： §6.2 铸造多晶硅的制备工艺 §6.2 铸造多晶硅的制备工艺 §6.2 铸造多晶硅的制备工艺 §6.2 铸造多晶硅的制备工艺 §6.2 铸造多晶硅的制备工艺 前一种技术国际上已很少使用，而后一种技术在国际产业界得到了广泛使用。 §6.2 铸造多晶硅的制备工艺 §6.2 铸造多晶硅的制备工艺 §6.2 铸造多晶硅的制备工艺 §6.2 铸造多晶硅的制备工艺 直熔法生长的铸造多晶硅的质量较好，它可以通过控制垂直方向的温度梯度，使固液界面尽量平直，有利于生长取向性较好的柱状多晶硅晶锭。而且，这种技术所需的人工少，晶体生长过程易控制、易自动化，而且晶体生长完成后，一只保持在高温，对多晶硅晶体进行了“原位”热处理，导致体内热应力的降低，最终使晶体内的位错密度降低。 §6.2 铸造多晶硅的制备工艺 利用定向凝固技术生长的铸造多晶硅，生长速度慢，坩埚是消耗件，不能重复循环使用，即每一炉多晶硅需要一直坩埚；而且，在晶锭底部和上部，各有几厘米厚的区域由于质量低而不能应用。 §6.2 铸造多晶硅的制备工艺 是利用电磁感应的冷坩埚来熔化硅原料。 §6.2 铸造多晶硅的制备工艺 ① 这种技术熔化和凝固可以在不同部位同时进行，节约生产时间；而且，熔体和坩埚不直接接触，既没有坩埚消耗，降低成本，又减少了杂质污染程度，特别是氧浓度和金属杂质浓度有可能大幅度降低。 ② 该技术还可以连续浇铸，速度可达 5mm/min。由于电磁力对硅熔体的作用，使得掺杂剂在硅熔体中的分布可能更均匀。 §6.2 铸造多晶硅的制备工艺 §6.2 铸造多晶硅的制备工艺 目前，利用该技术制备的铸造多晶硅硅锭可达35mm×35mm×300mm，电池转换效率可达15-17%。 该技术需要进一步改善晶体制备技术和材料质量，才能使得这种技术在工业界得到广泛应用。 §6.3 铸造多晶硅的晶体生长 6.3.1 铸造多晶硅的原材料 §6.3 铸造多晶硅的晶体生长 与直拉、区熔晶体硅生长方法相比，铸造方法对硅原料的不纯具有更大的容忍度，所以铸造多晶硅的原料更多地使用电子工业的剩余料，从而使得原料的来源可以更广，价格可以更便宜； 在铸造多晶硅制备过程中，可以利用方形的高纯石墨作为坩埚，也可以利用高纯石英作为坩埚。 高纯石墨的成本比较便宜，但是有较多可能的碳污染和金属污染；高纯石英的成本较高，但污染少，要制备优质的铸造多晶硅就必须利用石英坩埚。 §6.3 铸造多晶硅的晶体生长 ① 在制备铸造多晶硅时，原材料熔化、晶体硅结晶过程中，硅熔体和石英坩埚长时间接触，会产生黏滞作用。由于两者的热膨胀系数不同，