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硅基PZT压电薄膜微传感器的结构设计和实验研究
第 卷 第 期 半 导 体 学 报
年 月
硅基压电薄膜微传感器的结构设计和实验研究
娄利飞 杨银堂 李跃进 张 萍
西安电子科技大学微电子学所 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安
摘要对硅基锆钛酸铅 压电薄膜微传感器进行了结构和版图设计 根据 加工工艺和标准硅基 工
艺的特点获得了硅基 压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件 对 压电
薄膜的制备和微细图形化进行了较为详细的实验研究最后成功地制备出硅基 压电薄膜微传感器样品 这对
集成化芯片系统的进一步发展打下了良好的实验基础
关键词锆钛酸铅压电薄膜微传感器湿法化学刻蚀
中图分类号 文献标识码 文章编号
单操作容易但不易获得高保真的从掩膜到压电膜
引言 的图形转移并且 薄膜的底电极以及 薄
膜本身的图形化需要强酸长时间腐蚀 干法刻蚀的
集成电路技术的发展使得微电子学由电路集成 刻蚀速率相对化学腐蚀要低得多 采用含 化合
进入系统集成时代在集成化芯片系统中不仅需要
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