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基于单片机的数字钟设计

基于单片机的数字钟设计 关键词:单片机;数码显示;温度传感器 2.3 AT89S52单片机 AT89S52 是一种低功耗、高性能CMOS8 位微控制器,具有8K 在系统可编程存储器。使用Atmel 公司高密度非易失性存储器技术制造,与工业80C51产品指令和引脚完全兼容。片上Flash 允许程序存储器在系统可编程,亦适于常规编程器。在单芯片上,拥有灵巧的8 位CPU 和在系统可编程Flash ,使得AT89S52 为众多嵌入式控制应用系统提供高灵活、超有效的解决方案。AT89S52 具有以下标准功能:8k 字节Flash,256 字节RAM,32 位I/O 口线,看门狗定时器,2 个数据指针,三个16 位定时器/计数器,一个6 向量2 级中断结构,全双工串行口,片内晶振及时钟电路。另外,AT89S52 可降至0Hz 静态逻辑操作,支持2 种软件可选择节电模式。空闲模式下,CPU停止工作,允许RAM 、定时器/计数器、串口、中断继续工作。掉电保护方式下,RAM 内容被保存,振荡器被冻结,单片机一切工作停止,直到下一个中断或硬件复位为止。图2-1AT89S52的引脚 2.3.1 AT89S52单片机引脚功能 P0 口:P0 口是一个8 位漏极开路的双向I/O 口。作为输出口,每位能驱动8 个TTL 逻辑电平。对P0 端口写“1”时,引脚用作高阻抗输入。当访问外部程序和数据存储器时,P0 口也被作为低8 位地址/数据复用。在这种模式下,P0 具有内部上拉电阻。P1 口:P1 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口,1 输出缓冲器能驱动4 个TTL 逻辑电平。对P1 端口写“1”时,内部上拉电阻把端口拉高,此时可以作为输入口使用。作为输入使用时,被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因,将输出电流(IIL)。此外,P1.0 和P1.2 分别作定时器/计数器2 的外部计数输入(P1.0/T2)和时器/计数器2的触发输入(P1.1/T2EX),具体如下表所示。在flash 编程和校验时,P1 口接收低8 位地址字节。P2 口:P2 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口,P2 输出缓冲器能驱动4 个TTL 逻辑电平。对P2 端口写“1”时,内部上拉电阻把端口拉高,此时可以作为输入口使用。作为输入使用时,被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因,将输出电流(IIL)。在访问外部程序存储器或用16 位地址读取外部数据存储器(例如执行MOVX @DPTR)时,P2 口送出高八位地址。在这种应用中,P2 口使用很强的内部上拉发送1。在使用8 位地址(如MOVX @RI )访问外部数据存储器时,P2 口输出P2 锁存器的内容。 P3 口:P3 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口,p2 输出缓冲器能驱动4 个TTL 逻辑电平。对P3 端口写“1”时,内部上拉电阻把端口拉高,此时可以作为输入口使用。作为输入使用时,被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因,将输出电流(IIL)。RST: 复位输入。晶振工作时,RST 脚持续2 个机器周期高电平将使单片机复位。看门狗计时完成后,RST 脚输出96 个晶振周期的高电平。特殊寄存器AUXR( 地址8EH) 上的DISRTO 位可以使此功能无效。DISRTO 默认状态下,复位高电平有效。ALE/PROG:地址锁存控制信号(ALE)是访问外部程序存储器时,锁存低8 位地址的输出脉冲。在flash 编程时,此引脚(PROG )也用作编程输入脉冲。在一般情况下,ALE 以晶振六分之一的固定频率输出脉冲,可用外部定时器或时钟使用。然而,特别强调,在每次访问外部数据存储器时,ALE 脉冲将会跳过。如果需要,通过将地址为8EH 的SFR 的第0 位置“1”,ALE 操作将无效。这位置“1”,ALE 仅在执行MOVX 或MOVC 指令时有效。PSEN: 外部程序存储器选通信号(PSEN)是外部程序存储器选通信号。当AT89S52 从外部程序存储器执行外部代码时,PSEN 在每个机器周期被激活两次,而在访问外部数据存储器时,PSEN 将不被激活。EA/VPP: 访问外部程序存储器控制信号。为使能从0000H 到FFFFH 的外部程序存储器读取指令,EA 必须接GND。为了执行内部程序指令,EA 应该接VCC。 在flash 编程期间,EA 也接收12 伏VPP 电压。AT89S52单片机硬件结构的特点 MCS-51单片机硬件结构有如下一些主要特点: ① 内部程序存储器(ROM)和内部数据存储器(RAM)容量 MCS-51单片机的内部ROM和内部RAM的容量如表-1所示: 表-1 MCS-51单片机存储器容量 存储器类型 单片机类型 掩模ROM EPROM RAM MCS-51 51子系列 8031 / / 12

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