GB/T 12963-1996硅多晶.pdf

ICS29-045 H 82 缚臀 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T 12963一1996 硅 曰 多 日日 Polycrystallinesilicon 1996-11一04发布 1997一04一01实施 国 家 技 术 监 督 局 发 布 GB/T12963一1996 前 言 本标准中的直拉法用硅多晶是等效采用半导体设备和材料国际组织((SEMI)标准SEMIM16-89 《硅多晶规范》，结合我国的硅多晶材料的生产和使用情况，对GB12963-91进行修订而成的;悬浮区 熔法用硅多晶是在原标准GB12963-91的基础上，结合我国的实际情况对其进行修订而成的。 本标准的内容包括直拉法和悬浮区熔法用硅多晶。对于制备更高电阻率的区熔硅单晶，应对硅多晶 进行真空区域提纯或使用纯度更高的硅多晶。 本标准与原标准GB12963-91比较，重要技术内容改变的有:删去硅多晶特级品及其温度夹层要 求，删去硅烷热分解制取硅多晶的内容，增加了块状硅多晶尺寸分布范围，硅多晶的各级“等级品”的技 术指标都有不同程度的提高。 本标准从 1997年4月 1日起实施。 本标准从生效之日起。代替GB12963-91, 本标准由中国有色金属工业总公司提出。 本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所归口。 本标准起草单位:峨眉半导体材料厂和中国有色金属工业总公司标准计量研究所。 本标准主要起草人:王鸿高、尹建华、刘文魁、吴福立. 本标准首次发布日期:1991年6月。 中华 人 民共 和 国国家标准 硅 多 晶 GB/T 12963一1996 Polycrystallinesilicon 代替 GB12963-91 范围 本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于以三抓氢硅或四抓化硅用氢还原法制得的半导体级硅多晶。产品主要用于制备硅单 晶。 2 引用标准 下列标准所包含的条文.通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均 为有效，所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。 GB/T155。硅单晶导电类型测定方法 GB/T1553硅单晶寿命直流光电导衰退测量方法 GB/T1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB1558-83 测定硅晶体中代位碳含蚤红外吸收方法 GB4059-83 硅多晶气氛区熔磷检验方法 GB4060-83 硅多晶真空区熔基翩检验方法 GB4061- 83 硅名晶断面央层让学腐蚀检编方法 3 产品分类 3.1 分类 产品按外形分为块状硅多晶和棒状硅多晶，根据纯度的差别分为3级。 3.2 牌号 硅多晶的牌号表示为: Psi一口一口 阿拉伯数字表示硅多晶等级 英文大写字母表示硅多晶形状.I表示棒状.N表示块状 表示硅 多晶 技术要求 纯度 硅多晶的纯度应符合表 1的规定。 国家技术监.局 1996一11一04批准 1997一04一01实施