数字逻辑第七章.pptVIP

* * 第 7章 半导体存储器 7.3 随机存取存储器(RAM) 7.2 顺序存取存储器(SAM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.1 概述 7.1 概述 在数字系统工作过程中，有大量数据需要存储，半导体存储器是一种能够存储大量的二值信息的存储器；它在数字系统中能存储数据、程序、资料等信息，半导体存储器因此而成为数字系统不可缺少的组成部分 7.1.1 半导体存储器的特点与应用 半导体存储器具有集成度高、体积小、价格低、外围电路简单、接口方便和易于大批量生产等特点 按制造工艺分 双极型 双极型存储器工作速度快、功耗大、价格高、集成度不高 MOS型 MOS型存储器功耗低、工艺简单、集成度高、价格低 7.1.2 半导体存储器的分类 按存取方式分 顺序存取存储器(Sequential Access Memory,简称SAM) 随机存取存储器(Random Access Memory,简称RAM) 只读存储器(Only Read Memory,简称ROM) 存储容量 位(bit) 存储器最基本的存储单元，可存储一个0或一个1 字(byte) 若干个基本存储单元排列在一起组成一个字 存储器的存储容量通常用(字数) × (位数)表示；例如 存储容量为1024(字) ×8(位)的存储器内包含有8192个基本存储单元，常表示成1k×8位(1k=1024)，或1k字（字长8位） 7.1.3 半导体存储器的主要技术指标 存取时间（读/写周期） 连续两次读取(或写入)操作的间隔时间称为读(写)周期，表征存储器工作速度的高低 7.2 顺序存取存储器（SAM） 顺序存取存储器由动态移位寄存器构成，动态移位寄存器又由动态CMOS反相器串接而成 利用MOS管栅极和衬底之间的输入电容(栅电容)来暂存信息，由于MOS管的输入电阻极大，当栅电容充入电荷后，电荷经输入电阻自然泄漏(放电)速度比较缓慢，至少需要持续几个毫秒，如果移位脉冲(CP)的周期为微秒量级，则在一个周期内栅电容上的电荷基本不变，栅极电位就基本不变。若长时间没有移位脉冲的推动，存放在栅电容上的信息就会随电荷的泄漏而消失。所以它只能在移位脉冲的作用下，也就是动态中运用，故称为动态移位寄存器 7.2.1 动态CMOS反相器 VDD vO C TG CP R CP vI ＋ ＋ － － 7.2.2 动态CMOS移存单元 VDD C2 TG2 CP CP VDD C1 TG1 CP CP 主 从 1位 7.2.3 动态移存器和顺序存取存储器（SAM） FIFO型SAM ≥ 1 1024位动态移存器 ≥ 1 1024位动态移存器 ≥ 1 1024位动态移存器 · · · · · · · · · I0 CP CP CP CP CP CP I1 I7 片选 读 写/循环 O0 O1 O7 循环刷新 读和写 7.2.3 动态移存器和顺序存取存储器（SAM） FILO型SAM · · · R/W CP CP I/O0 O0 EN 1 EN 1 m位双向 移位寄存器 Om－1 · · · SL/SR CP O0 EN 1 EN 1 m位双向 移位寄存器 Om－1 · · · SL/SR · · · I/O3 7.3 随机存取存储器（RAM） 随机存取存储器也叫随机读/写存储器，简称 RAM。工作时可以随时读取RAM中任何指定位置已存数据，或向RAM中的任何指定位置写入数据。它的特点是读/写方便，使用灵活，一旦断电数据随之丢失（即数据具有易失性） 静态随机存取存储器SRAM SRAM(Static Random Access Memory) 动态随机存取存储器DRAM DRAM(Dynamic Random Access Memory) RAM分为 7.3.1 RAM结构 存储矩阵 地址译码器 读写控制电路 （I/O电路） RAM结构示意图 (行)地址译码器 (列)地址译码器 x y 存 储 矩 阵 读写控制电路 I/O A0 A1 Ai An-1 Ai＋1 Ai＋2 读写(R/W) 片选(CS) · · · · · · · · · 7.3.1 RAM结构 存储矩阵 存储矩阵实际上就是存储体，由大量存储单元按矩阵排列而成，存储矩阵的规模越大，存储器存储容量越大 存储矩阵中的存储单元有静态单元和动态单元两类，分别构成SRAM和DRAM 存储矩阵中一个基本存储单元能存储一位二值数据，常将 n 个存储单元组合在一起构成字长为 n 位的字，大多数存储器以一个字为单位存取数据 7.3.1 RAM结构 地址译码器 存储单元在存储矩阵中的物理空间位置标识称