太阳能电池用锗单晶位错密度测试样片制备工艺研究.PDFVIP

第37 卷 第S1 期 红 外 技 术 Vol.37 No.S1 2015 年 12 月 Infrared Technology Dec. 2015 太阳能电池用锗单晶位错密度测试样片制备工艺研究 子光平，吴绍华，王 侃，陈 骥 （云南北方驰宏光电有限公司，云南昆明 650217 ） 摘要：采用CZ 法生长的 〈100〉型太阳能电池用锗单晶为研究对象，通过对研磨、抛光、腐蚀各阶段 工艺开展太阳能电池用锗单晶位错密度测试样片制备工艺研究。结果表明，研磨砂粒度越细，基底表 面质量越好；抛光时间对位错形貌影响很大，不宜过长或过短；低的水浴温度及合适的腐蚀时间决定 了位错形貌的最终状态。确定了太阳能电池用锗单晶位错密度样片的制备工艺。 关键词：锗单晶；位错密度；研磨；抛光；腐蚀 中图分类号：TN304.1＋1 文献标识码：A 文章编号：1001-8891(2015)S1-0060-04 Study on Preparation Techniques of Dislocation Density Sample for Ge Single Crystal Used in Solar Cell ZI Guang-ping ，WU Shao-hua ，WANG Kan ，CHEN Ji (Yunnan KIRO-CH Photonics Co., Ltd , Kunming, 650217 China) Abstract ：The dislocation profile of Ge 〈100〉 single crystal was studied by experiment. Thinking of some process influencing the background and dislocation profile, such as grinding, polishing and etching. The result shows that in order to obtain high quality background, the polishing time should not be too long or too short; the etching time has important effect on the dislocation profile, the profile of dislocation will clear with the etching time extending ,but further etching will lead to etch pit disappear. Based on the experiment results, the sample preparation techniques were formulated for Ge single crystal used in solar cell. Key words ：germanium single crystal，dislocation density，grinding，polishing ，etching 0 引言 [1] 太阳能电池的发现是人类能源史上的一次革命，发展前景十分广阔 。与传统硅太阳能电池相比，GaAs/Ge 叠层太阳能电池具有转换效率高、抗空间辐射性能好、温度特性好和寿命长等优点[2]，已经在航空航天领域得 到广泛的应用。卫星、飞船、空间站等航天器的主电源都采用 GaAs/Ge 太阳能电池，低位错锗抛光片是这些电 源的关键衬底材料[3] 。位错密度是影响锗衬底太阳能电池转换效率的一个重要因素，由于