传感器原理与应用技术71.pptxVIP

第七章 半导体 磁敏传感器;简 介;7.1 霍尔传感器 ;7.1 霍尔传感器 ;图7-1 霍尔效应;所以，霍尔电压UH可表示为 UH = EH b = vBb (7-3);流过霍尔元件的电流为 I = dQ / dt = bdvnq 得： v =I / nqbd (7-4) ;;材料中电子在电场作用下运动速度的大小常用载流子迁移率来表征，即在单位电场强度作用下，载流子的平均速度值。即;结论： ① 如果是P型半导体，其载流子是空穴，若空穴浓度为p，同理可得;另外通常还要对其形状效应修正 UH=RH BIf(L/b)/d;7.1.2 霍尔元件的构造及测量电路;1 构 造;霍尔片是一块半导体单晶薄片(一般为4mm×2mm×0.1mm)，它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，通常用红色导线，其焊接处称为控制电极；在它的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线，其焊接处称为霍尔电极。;2 测量电路;7.1.3 霍尔元件的技术参数;4.霍尔温度系数α 在一定的磁感应强度和控制电流下，温度变化1℃时，霍尔电势变化的百分率。