半导体物理第二章 半导体杂质和缺陷能级.pptVIP

第二章 半导体中杂质和缺陷能级 1．为什么要讨论半导体中的杂质能级？(了解) 2．杂质是如何分类的？各类型杂质是如何定义的？ （掌握） 3．何谓杂质补偿作用？ 4．在硅锗中掺加各族元素杂质有何特点？ 5．在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体中掺入各族杂质各有甚么特点？（了解） 6．缺陷是如何分类的？各类型缺陷是如何定义的？（掌握） 7．缺陷能级有哪些性质和特点？（了解) 8．如何分析计算浅能级杂质的电离能？（掌握） 1．为什么要讨论硅、锗中的杂质能级？(了解) （1）理想的晶体是不存在的，实际晶体均有杂质和缺陷 （2）杂质和缺陷的存在对半导体的性能将产生极为敏感的影响 （3）正是杂质和缺陷的存在，才使得半导体具有丰富多彩的性能。 2．杂质是如何分类的？各类型杂质是如何定义的？ （掌握） （1）按照杂质在晶格中的位置可分为： 替位杂质：杂质原子取代晶格原子而位于晶格结点处 间隙杂质：杂质位于晶格原子之间 （2）按照杂质电离后电性可分为： 施主杂质：电离后带正电的杂质 受主杂质：电离后带负电的杂质 相关概念： 杂质能级：将被杂质束缚的电子（空穴）的能量状态称为杂质能级，通常杂质能级位于禁带之中。 杂质电离：电子（空穴）挣脱杂质束缚的过程称为电离，相应所需的能量称为电离能 n型半导体：所掺杂质为施主杂质，导带中电子为主要载流子的半导体 p型半导体：所杂质为受主杂质，价代中空穴为主要载流子的半导体 （3）按照杂质能级在禁带中的分布可分： 浅能级杂质：施（受）主杂质距离导带底（价带顶）较近 深能级杂质：施（受）主杂质距离导带底（价带顶）较远 3．何谓杂质补偿作用？ 当在半导体中同时参入施主杂质、受主杂质，施主和受主杂质可以相互抵消的作用称为杂质补偿作用，经过补偿后半导体中的净杂质浓度称为有效杂质浓度。 利用杂质补偿作用可以根据需要用扩散或离子注入方法来改变半导体中某一区域的导电类型，以制成各种器件。 4．在硅锗中掺加各族元素杂质有何特点？ III族杂质：B Al Ga In V族杂质：P As Sb （1）V族形成施主杂质；III族形成受主杂质 （2）杂质的状态可以有两种状态：中性态和离化态 （3）V族（III族）杂质能级靠近导带底（价带顶）形成浅能级杂质 （4）杂质电离能很小（参见表），室温下几乎全部电离 非III、V族杂质特点： （1）同一种杂质一般均有多个杂质能级 （2）同一种杂质的多个能级中既可以有深能级也可以有浅能级，既可以有施主能级也可以同时有受主能级 （3）典型元素的能级状况： Au：在锗中有四个能级（三受一施）；在硅中有两个（一受一施） Hg：在锗中有两个受主能级；在硅中有四个（两受两施） S：在锗中有两个施主能级；在硅中有三个施主能级 5．在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体中掺入各族杂质各有甚么特点？（了解） I族：Au Ag Cu Li 均引入受主能级，间隙式Cu引入施主能级 II族：Be Mg Zn Cd Hg 引入浅受主能级，常用Zn Cd制作P型材料 III族或V族： 通常情况下不引入杂质能级，但在一些化合物中，如磷化镓中掺入V族元素N，取代P并在禁带中产生能级。这个能级具有特殊效应称为等电子陷阱，相应的效应称为等电子杂质效应。 IV族：C　Si Ge Sn Pb既可以是取代III族而成施主杂质，也可以取代V族而成受主杂质，总的效果是施主还是受主取决于掺杂浓度和外界条件。 VI族：O S Se Te 主要表现为施主能级 过度族：Cr Mn Fe Co Ni 为受主能级 V为施主能级 6．缺陷是如何分类的？各类型缺陷是如何定义的？ 大类可分为点缺陷和位错缺陷两种 晶格格点上的原子未被正常原子所占据而形成的晶体缺陷称为点缺陷，点缺陷按照成因可分为三种： （1）热缺陷：又分为费伦克耳缺陷、肖特基缺陷 费伦克耳缺陷： 格点上的原子挤入其他晶格之间，从而形成成对的间隙原子-空位的点缺陷。 肖特基缺陷： 原子转移到界面处而只形成空位的缺陷 （2）成分偏离缺陷： 对化合物半导体利用成分偏离正常化学比产生的空位缺陷 （3）替位原子缺陷： 对化合物半导体AB，所产生的AB BA替位原子缺陷 7．缺陷能级有哪些性质和特点？（了解） （1）对于Si Ge空位缺陷引入受主能级，间隙原子引入施主能级 （2）对化合物半导体空位缺陷能级性质则与空位原子的电负性有关，通常由实验确定 （3）砷化镓的砷空位镓空位均是受主能级 （4）对离子晶体电负性大的空位为施主能级反之为受主能级。 （5）替位原子点缺陷能级性质主要决定被取代原子的电负性 如砷化镓，砷取代镓为施主能级，镓取代砷则为受主能级 （6）位错既可以表现为施主能级也可以为受主能级，须通过实验确定 （7）位错在晶体有