半导体物理_第4讲.pptVIP

带边，带尾 简并情况下，施主能级扩展为一个能带并进入了导带中与导带相连，形成了新的简并导带，使能带的状态密度发生了变化，简并导带的尾部伸入到禁带中，称为能带边缘的延伸。 电离能与杂质浓度的关系 思考 一般半导体浓度的分布 什么是简并半导体，什么是非简并半导体。 发生简并的条件是什么？ 简并与什么有关？ 发生简并时，半导体是否全部电离？ 杂质能带的形成。 载流子浓度的讨论 载流子浓度的讨论 对掺杂浓度一定的半导体， 温度升高，载流子从以杂质电离为主要来源过渡到以本征激发为主要来源的过程。 费米能级随温度的升高而，从位于杂质能级附近逐渐移近禁带中央。 温度一定时，费米能级的位置由掺杂浓度决定。 随着杂质浓度的增加，费米能级的位置从禁带中线移向能带附近。 总之，费米能级的位置不但反映了半导体的导电类型，且反映了半导体的掺杂水平。 一定温度下，浓度与杂质的关系 曲线分析 杂质浓度小于ni时，n0,p0都 等于ni，材料是本征的； 杂质浓度大于ni时，多数载流子随杂质温度增加而增加，少数载流子随杂质浓度增加而减少。 少数载流子浓度 N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴称为多数载流子。(简称多子) N型半导体中的空穴和P型半导体中的电子称为少数载流子。(简称少子) 少子计算 思考 本征费米能级，本征载流子浓度求解。本征半导体与温度的关系。 杂质半导体的费米能级。费米分布函数。温度区间的划分，及相关载流子的组成。 费米能级与杂质半导体的浓度关系 费米能级与杂质半导体的温度关系 载流子浓度乘积与何有关。 3.6 一般载流子统计分布 电中性条件 低温区 饱和区 高温区 电中性条件 空间电荷密度：半导体中任一点附近单位体积内净电荷数，可以用其中所含有的导带电子，价带空穴，电离施主，电离受主等四种电荷计算出来。 半导体中含有多种施主杂质与多种受主杂质时，电中性条件是： 电中性条件 电中性条件的变化 由以下条件可得： 单种施主杂质和单种受主杂质的公式： 低温区的分布 此时Eg△ED，说明施主杂质电离很弱，本征激发作用可忽略不计。 EF在ED附近，EA远离EF，EA完全被电子所填充。 电中性条件： p0=0，pA-=NA,pA=0,有 ND=n0+NA+nD 低温区的分布 经推导后，在极低温下有： 当温度稍增加时， 低温区的分布 极低温度，有以下特点 低温时，NAn0ND 饱和区 施主杂质全部电离，EF在ED之下 最后有， 高温区 电中性条件 经推导后有， 其它情况 对含有施主杂质的P型半导体，也有同样析。 对于计算少子浓度及其它参数，可参考单种杂质半导体的情况。只是在杂质浓度上有ND-NA，NA-ND代替ND。 §3.7 简并半导体 费米能级位置变化 简并半导体载流子浓度 简并化条件 简并时杂质电离情况 费米能级位置变化 N型半导体处于饱和区时，费米能级位置为 当NDNC或(ND-NA)NC时，费米能级在导带EC之下的禁带中。 当NDNC或(ND-NA)=NC时，EF将与EC重合或在EC之上，即进入了导带。 费米能级进入导带的特点 若费米能级进入了导带，说明n型杂质掺杂浓度很高(即ND很大)；也说明了导带底附近的量子态基本上被电子所占据了。 若费米能级进入了价带，说明P型杂质掺杂浓度很高(即NA很大)；也说明了价带顶附近的量子态基本上被空穴所占据了。 此时要考虑泡利不相容原理，而玻尔兹曼分布不适用，必须用费米分布函数。这此情况称为载流子的简并化。 发生载流子简并化的半导体称为简并半导体。 玻尔兹曼分布与费米分布区别 简并半导体的载流子浓度 简并形成的途径：重掺杂 当Ec-EFk0T,服从玻尔兹曼分布时，有 由于EF接近或进入导带，EC-EF=k0T,要用费米分布函数计算。 简并半导体的载流子浓度 单位体积载流子浓度 积分有 费米积分 简并半导体的载流子浓度 N型半导体的电子浓度为： P型半导体的空穴浓度为： 简并化条件 简并化的标准 简并条件与ND，T，△ED有关 分布函数应用范围 简并化条件 当杂质浓度超过一定数量后，载流子开始简并化的现象称为重掺杂。半导体称为简并半导体。 锗、硅的NC和NV约为1018-1019cm-3，则锗，硅在室温下发生简并时的施主杂