半导体物理第三章0517.ppt

* * * * * * * * * * * * 本征载流子浓度 本征载流子浓度与材料有关，并随温度变化而迅速变化. 同一温度下, Eg越大, ni越小 两边取对数 实验 讨论： 1.斜率对应材料的禁带宽度 2.单晶材料的标准 3.半导体器件稳定工作的温 度区间 (1) 室温下,载流子浓度和EF的定性图象 (2)???杂质能级上的电子和空穴 (3)??? n型半导体的电子浓度和EF (4)??? p型半导体的空穴浓度和EF (5)??? 载流子浓度和EF随杂质浓度的变化 (6) 少数载流子浓度 §4 杂质半导体的载流子浓度 n型半导体: np p型半导体: p n 本征半导体: n= p (1) 室温下,载流子浓度和EF的定性图象 杂质能级和能带中的能级是有区别的— ?在能带中, 每一个能级可容纳二个电子 ?然而,电子或空穴占据杂质能级时，状态是简并的: ?施主能级可以容纳一个电子(这电子很易失去), 这电子可取不同的自旋态 ?受主能级可以容纳一个空穴(这空穴也易电离), 这空穴可取不同的自旋态 (2)?杂质能级上电子和空穴的占据几率 Fermi分布函数 电子占据施主能级的几率 空穴占据受主能级的几率 (3)杂质半导体中的载流子浓度 (2)中等强电离区 电中性方程 两边取对数并整理,得: 载流子浓度: ?杂质(几乎)全部电离--饱和电离 饱和电离的范围: 下限: 杂质接近全部电离 nD 0.1ND 上限: 本征激发可忽略 ni 0.1ND 另一种方法 小结：N型半导体的费米能级随温度的变化关系 小结：N型半导体的电子浓度随温度的变化关系 载流子浓度和EF随杂质浓度的变化 总之, 掺有某种杂质的半导体,其载流子浓度和EF由温度和掺杂浓度所决定. 前面,主要讨论了随温度的变化. 一确定的半导体,在一定温度下,载流子浓度和EF由杂质浓度决定 ? 载流子浓度随掺杂浓度的变化 掺杂浓度越低, 越易达到饱和 ? EF随掺杂浓度的变化 掺杂浓度越高, EF越靠近带边 重掺杂情况 如果掺杂浓度很高, EF将非常靠近带边, 甚至进入能带. 此时必须应用Fermi分布函数. 相应的半导体—简并半导体 非简并条件: EC-EF 2kT EF-EV 2kT (非简并半导体—可以应用Boltzmann近似): 少数载流子浓度 n型半导体 n=ND p=ni2/ND p型半导体 p=NA n=ni2/NA 在饱和区的温度范围内,由于多子浓度基本不变，因此少子浓度将随着温度的升高而迅速增大。 本章-书上第三章的删略 × §3.5 一般情况下载流子的统计分布 × §3.6 简并半导体 × 附录: 电子占据杂质能级的几率 * * * * * * * * * 半导体器件 第三章 半导体中载流子的平衡统计分布 §1 状态密度 §2 费米能级和载流子的统计分布 §3 本征半导体的载流子浓度 §4 杂质半导体的载流子浓度 热平衡状态 在一定温度下，存在： 产生载流子过程——电子从价带或杂质能级向导带跃迁； 复合过程——电子从导带回到价带或杂质能级上。 产生数＝复合数 即热平衡状态 Ec ● Ev 产生 复合 ED ○ ○ ● 问题：热平衡时，求半导体中的载流子浓度? （对确定的材料,载流子浓度与温度有关,与掺杂有关.) [分别讨论本征半导体和杂质半导体] 途径：半导体中,允许的量子态按能量如何分布—求状态密度g(E) + 载流子在允许的量子态上如何分布—讨论分布函数f(T), ?从而得到载流子浓度n(T)及p(T) 能带中能量 附近每单位能量间隔内的量子态数。 能带中能量为 无限小的能量间隔内有 个量子态，则状态密度 为 §1 状态密度 (1) K空间中量子态的分布 箱归一化条件下，k的取值 每一个 代表一个量子态，因此K空间中，量子态由一些均匀分布的点描述，每个量子态在K空间中占据的体积为 单位体积内的量子态数 (2) 状态密度的计算 波矢k与能量之间的关系，即色散关系 导带 价带 以导带为例： （a）球形等能面 能量为E的