第1章 半导体器件.pptVIP

* PASS * PASS * PASS * PASS * PASS * PASS * PASS * PASS * * PASS * PASS * PA * PASS * PASS * PASS * PASS * * PASS * 光电耦合器 电 ?光?电 特点：输入与输出电气绝缘 作用：抗干扰、隔噪声 应用举例： ~220V +5V 思考题 1、本征半导体是如何导电的？ 2、N型半导体中的多数载流子是什么？P型半导体呢？ 3、多数载流子与什么有关？少数载流子呢？ 4、PN结加什么电压使空间电荷区变窄？有利于什么运动？ 5、稳压二极管与普通二极管的区别在哪里？ 6、二极管的死区电压是什么的反映？ 7、半导体器件的性能为什么受温度的影响比较大？ 8、什么叫PN结的单向导电性？ 9、怎样用万用表判断二极管的极性？ 10、二极管能否起稳压作用？如能，举例说明。 P32：1.6.2 ； 1.6.5；1.6.7 第4节 晶体三极管 一. 基本结构、分类、符号 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 集电结 发射结 晶体管放大的外部条件： 发射结加正向电压；集电结加反向电压。 晶体管放大的内部条件： 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 二. 晶体管的电流放大作用 B E C N N P Ec IE IBE EB RB IC IB 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成IC。 IC/IB=β= β IB+IC=IE IB IC B E C IB IE IC PNP型三极管 B E C IB IE IC NPN型三极管 放大区电压和电流实际方向 三、 晶体管的特性曲线 实验线路 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V 锗管UBE?-0.2~ -0.3V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 1、输入特性（同二极管） IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 当UCE大于一定的数值时，IC基本只与IB有关，IC=?IB。 2、输出特性 条件：发射结正偏,集电结反偏。 功能：放大 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 线性放大区 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCES?0.3V称为饱和区。 条件： 发射结正偏 集电结正偏 功能： RCE≈ 0 近似电子开关接通 饱和区 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO UBE 死区电压，称为截止区。 条件： 发射结反偏 集电结反偏 IB=0 功能： RCE≈ ∞ 近似电子开关断开 截止区 例1.已知EC=10V ,EB = 5V, UBE = 0.7V, RC=3kΩ， RB=200kΩ， β = 100， 求： 1 ） IB ，IC. 判断三极管是否处于放大状态. 2）当RB=100kΩ时，三极管是否处于放大状态？ 解：1） IB= EB －UBE RB 5－0.7 200 ＝ ＝ 21.5μA 0.0215mA ＝ I c ≈β IB 2.15mA ＝ UCE = EC – ICRC＝10－2.15×3＝3.55V UBE = 0.7V, 说明发射结正偏，集电结反偏， 故三极管处于放大状态。 2). 集电极临界饱和电流： ICS = EC －UCES RC EC RC ≈ 0.33mA ＝ 基极临界饱和电流： IB= EB －UBE RB IBS ≈ I c/ β= 33 μA 当RB=100kΩ时，基极电流： ＝ 43μA IBS 故三极管处于饱和状态。 例2.测得在放大状态的两个三极管的电位分别为：2.5V、 3.2V、 9V 和－0.7V、－1V、－6V，试判断这两个三极管的类型和管脚。 解： 三极管在放大状态。说明发射结正偏，集电结反偏。 对NPN：UBE 0、 UBC 0。 说明 VC VB VE NPN型三极管一般为硅管UBE = 0.7V， PNP型三极管一般为锗管UBE = －0.3V B E C B E C