MA-COM基于SiC衬底的GaN功率管RF可靠性实验白皮书作者Brian.PDF

M/A-COM基于SiC衬底的GaN功率管RF可靠性实验白皮书 摘要 由于GaN功率器件正逐渐被市场所接受，通常半导体公司在提供他们的产品首先需要其可 靠性，本篇文章其描述了待测GaN器件失效判断标准以及基于HTOL测试所完成的DC和RF 测试过程，着重讨论了M/A-COM Technology Solutions所完成的高功率RF HTOL 测试方法用 来评估其新推出的MAGX系列的SiC衬底的GaN功率管。试验结果对比了传统硅功率管的可 靠性数据，体现了MAGX系列产品业内的领先性。 作者：Brian Barr，研发部经理；Dan Burkhard 质量经理 M/A-COM Technology Solutions RF功率管产线，加利福利亚州托兰斯 MTTF （Mean Time to Failure）平均失效时间，或称有效寿命，是半导体器 6 件可靠性的基本参数，通常在最高工作结温下为1x10 小时 (1百万小时=114年）， MTTF有效寿命是行业内的常规可靠性考核指标。例如：现已成熟商用的硅 （Si ） 或砷化镓 （GaAs ）半导体器件在结温（沟道温度）150℃~160 ℃时，MTTF值均 都能满足一百万小时的有效寿命。 近年来，基于SiC衬底的GaN功率器件在RF功率放大领域的应用正逐渐被RF 微波半导体行业所关注。氮化镓材料以它固有的物理特性：宽能带隙、高击穿电压、 高功率密度和高增益以及支持更高的沟道温度使它优于先前的硅（Si ）和砷化镓 （GaAs ）材料器件正在被多数RF微波半导体公司所认可。 任何一种新的半导体 技术在被广大客户所接受，并成为主流之前，其可靠性必须首先得到充分的认证和 评估。 M/A-COM Technology Solutions作为一家全球性的半导体供应商非常清晰的 理解此问题的重要性和影响性。我们选用了基于SiC衬底的栅宽0.5um 的GaN功率 管新品，全面地完成了对其可靠性和性能测试的评估。在本篇文章中，我们将详细 描述我们的处理过程并总结我们的测试结果。 位于加利福利亚州洛杉矶的M/A-COM Tech RF 功率管产线 （RF Power Products Group）自1970年初开始为全球的客户提供高质量、高可靠的RF功率解 决方案以满足各种不同的商业和军事应用需求。其产品覆盖了HF，VHF ，UHF，L 波段和S波段的产品，广泛应用于商业通信系统、一次/二次雷达、交通管制雷达、 航空电子设备、卫星数据链以及各种工业和医疗系统。所有的产品在应用到系统前 都必须经过严苛的认证或可靠性筛选，作为关键部件的功率器件需要建立预计其使 1 用寿命来满足这些高可靠的系统应用。M/A-COM Tech作为一家具有丰富的设计和 测试经验的公司，其30多年积累已经成功地为不同的系统提供了长期的寿命维护 和产品保障。 为了验证我们MAGX 系列的SiC衬底的GaN功率管，选择何种器件来准确的进 行认证和可靠性测试是非常重要的问题。通常，选择更小晶胞 （unit cell ）机构的 器件是一种通用的方式，但是，M/A-COM Tech倾向于采用一颗直接面向市场并具 图1 30W CW 功率管内部结构 有更大、更高功率的产品(一颗无匹配的CW 30W 的功率管)来验证。其内部结构见 图1所示。这样的验证会更具代表性。一颗6mm 的PHEMT 晶胞 （unit cell ）用Au/Sn 焊料粘贴到到陶瓷腔体中，晶胞和外围管腿之间用2mil 的金丝键合相连。 整个认证过程和可靠性测试过程试验过程分为两个阶段，阶段一为功率管老 化筛选测试试验（ Packaged Product testing Screening ），其基于MIL-PRF-19500 Groups A，B和C来完成筛选试验，功率输出和高温的RF寿命测试是来关注GaN芯 片本身的的可靠性。阶段二本征半导体的测试（RF HTOL ）是本篇文章所讨论的 重点。表1 列出我们可靠性筛选测试和评估的内容和步骤。