MI3221018,PhysicsofSemiconductorDevices.doc-微电子学院微电子.doc

《Physics of Semiconductor Devices》教学大纲 课程编号：MI3221018 课程名称：半导体器件物理 英文名称：Physics of Semiconductor Devices 学时：46 学分：3 课程类型：限选 课程性质：专业课 适用专业：微电子学 先修课程：专业基础课、专业课 集成电路设计与集成系统 开课学期：6、7 开课院系：微电子学院 一、课程的教学目标与任务 目标：教学目的旨在培养和提高学生在微电子学领域里应用英语的能力。重点扩大学生的专业词汇量，提高学生的英语阅读理解水平，同时兼顾听、说、写，使学生能将专业知识与英语知识很好地结合，最终具有较强的英语交流能力和翻译能力。 任务：兼顾英语语言的学习应用和微电子技术基础知识、专业知识两个方面，采用英语教材，英语讲授或英语/国语讲授的方式，使学生通过本课程的学习和精选科技文章的阅读，理解和掌握微电子技术及与其相关的数学、物理、电子技术等的基本概念及专业术语的英语描述。 二、本课程与其它课程的联系和分工 本课程是涉及大学数学、物理、电子技术和微电子专业基础课程的一门综合性课程。 三、课程内容及基本要求 (一)数学基础 (8学时) 具体内容：常微积分方程、偏微积分方程、半导体中的数学物理方法。 1.基本要求 （1）了解常用数学公式的英文描述。 （2）掌握半导体中的数学物理方法。 2.重点、难点 重点：半导体中的数学物理方法、短语、句子。 难点：半导体中的数学物理方法。 3.说明：该内容是阅读、写作涉及数学内容的英文文献的基础。 （二）电路基础 (8学时) 具体内容：电路分析的基本原理、定理、方法。 1.基本要求 （1）了解电路基础词汇、短语、句型。 （2）描述电路工作的规范性英文表述。 2.重点、难点 重点：电路基础的词汇、句型、段落篇章。 难点：电路基础的理解。 3.说明：该内容是阅读、写作电工类专业英文文献的基础。 (三) 固体中的电子 (6学时) 具体内容：能带，有效质量，载流子密度，半导体掺杂，电流的产生机理，载流子扩散、漂移，空穴和电子的产生和复合，电阻率，热电效应，霍尔效应，光电导效应等专业名词、短语的英文用法。 1.基本要求 （1）了解电子在固体中的存在方式及其英文描述。 （2）了解半导体基本性质的英文叙述。 （3）掌握具体内容的专业英语词汇写法。 2.重点、难点 重点：能带模型，物理学和数学公式的英语表述。 难点：同上。 3.说明：该内容是阅读、写作微电子学英文文献的基础。 （四）P-N结 (4学时) 具体内容：P-N的结构和基本电特性，耗尽层，少子注入，P-N结的伏安特性，P-N结的击穿，P-N的应用。 1.基本要求 （1）了解P-N结的基本结构和电特性。 （2）掌握P-N结中耗尽层的产生机理。 （3）掌握P-N结的击穿机理。 （4）了解P-N的特性及其相关应用。 2.重点、难点 重点：P-N结基本电学特性、物理特性的英文描述。 难点：英文描述。 3.说明：该内容是阅读、写作微电子器件工作原理相关英文文献的基础。 （五）双极型晶体管和晶闸管 (6学时) 具体内容：双极型晶体管的结构及其物理特性，双极型晶体管的电学模型，晶闸管。 1.基本要求 （1）掌握双极型晶体管基本结构及其特性。 （2）了解双极型晶体管的模型。 （3）了解晶闸管的基本结构及特性。 2.重点、难点 重点：双极型晶体管的结构、特性及模型，晶闸管的基本结构及特性。 难点：双极型器件物理与电学特性的英文表述。 3.说明：异质结场效应晶体管是当前高速/高性能器件与集成电路研究发展的重点。 （六）表面和界面 (6学时) 具体内容：固体表面物理，功函数和电子亲和能，半导体表面势，MOSFET，电荷耦合器件，半导体存储器，金属半导体结，异质结。 1.基本要求 （1）了解晶体表面的能量特性及其描述。 （2）掌握能带弯曲的机理和过程描述。 （3）掌握MOSFET的基本结构和电特性。 （4）掌握电荷耦合器件的原理。 （5）了解金属-半导体接触。 （6）了解异质结。 2.重点、难点 重点：半导体表面势，能带弯曲的物理原理，MOSFET的结构和电特性，电荷耦合器件的基本原理。 难点：MOSFET的物理与电学特性。 3.说明：MOSFET器件尤其是CMOS IC是目前主流技术。 （七）专业文献阅读 (8学时) 具体内容：标志近年来半导体物理或集成电路设计技术先进水平的文章精读。。 1.基本要求