pn结电容-电压法测量应变SiGe禁带宽度-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 2% $## ， ， ， HT 02% ST 0 4;.@;UV $## （ ） ###/%$’#,$##,2% # ,#$%2/# JO3J GPQ(ROJ (RSROJ $## O?). 0 G?V 0 (TD 0 结电容 电压法测量应变 禁带宽度! ! # $%’ 舒 斌 戴显英 张鹤鸣 （西安电子科技大学微电子研究所，西安 !##!） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $##% % $##% ’ 利用应变 异质 结电容 电压（ ）特性确定 禁带宽度的技术 该技术根据 异质 结 ()*+, () -. / !/ ()*+ 0 ()*+, () -. !/ 实验曲线，计算出 结接触电势差，并得到 的价带偏移量和导带偏移量，进而求得 禁带宽度 该技术 -. ()*+, () ()*+ 0 测试方法简便，其过程物理意义清晰，既适用于分立的 异质 结，也可直接分析 异质结器件中的 ()*+, () -. ()*+, () 禁带宽度 实验结果与理论计算及其他相关文献报道的结果符合较好 ()*+ 0 0 关键词： ，异质 结， ，禁带宽度 ()*+, () -. !/ ： ， ()** !%#1 !$23 直接分析()*+, () 器件中的()*+ 禁带宽度，为 ()*+, 5 引 言 () 材料及器件的研究提供了方便有效的技术手段0 应变()*+, () 异质结应用于高速微电子和光电 $ 5 测试原理 子器件有明显的优势，而()*+ 材料的禁带宽度是实 现和优化应用目标的关键参数 因此，在应用中分析 异质 结势垒电容与偏置电压之间存 0 ()*+, () -. 的禁带宽度是十分必要的 文献已经报道了多 在一定的理论关系，通过实验可以得到其 特性 ()*+ 0