Ⅰ型陶瓷电容器又可分为低介高频瓷与高介高频瓷，其中.ppt

电子陶瓷材料 1.??半导体陶瓷电容器的分类及其性能 半导体陶瓷电容器按其结构、工艺可分为三类：表面阻挡层型，表面还原再氧化和电价补偿型，晶界层型。它们的构造及主要性能列于下表： §6-4 半导体陶瓷电容器 §6-4 半导体陶瓷电容器 2. 金属与半导体的接触  功函数：对任何材料，Fermi能级与真空能级之差称为功函数，常用φ表示。 对于金属材料，功函数是电子离开金属表面的能量的平均值，对于半导体，Fermi能级处于禁带中，不占有电子，只有导带电子才能离开材料表面。 金属与半导体的接触可形成欧姆接触，阻挡层接触和中性接触。 1）阻挡接触（φm＞φs） 2) 欧姆接触 ?1）阻挡接触（φm＞φs） Es～自建电场 主导在半导体中,使半导体表面附近的能带发生弯曲。 ?图1 金属与n型半导体建互相绝缘：金属的功函数φm与半导体的X（X为半导体的亲和能E0－EC）对于一定材料为确定的，但半导体的φs随掺杂不同而变法。 图2 M-S间用导线连接：载流子重新分布，Efm=Efs ?图3 M-S相互接触：电子流动，是半导体表面形成一层由荷正电的电离施主形成的空间电荷层，阻挡层 按IEC标准，陶瓷电容器被分为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ共三大类型。 Ⅰ型陶瓷电容器是电容量随温度变化稳定度较高的电容器，主要用于高频谐振回路中，常被称为高频陶瓷电容器。按照介电常数高低，Ⅰ型陶瓷电容器又可分为低介高频瓷与高介高频瓷，其中，高介高频瓷包括了热补偿高频瓷、热稳定高频瓷。 第四章 陶瓷电容器的分类 Ⅱ型陶瓷电容器以高介电常数为主要特征，其材料主体是具有钙钛矿型结构的铁电强介磁料，其基本组成主要有和弛豫铁电体。铁电强介质陶瓷的高介电常数来源与材料中存在的自发极化随外电场而呈现的其介电常数高达 。由于介电常数受温度影响很大，电容器容量温度特性通常用在规定温度范围内的上、下极值容量相对于室温下的容量变化百分比来表示。 用这种材料制作的电容器在频率超过一定范围时衰减幅度很大，因而主要应用于低频电路或对容量要求不大苛刻的中高频电路。最为常见的Ⅱ型陶瓷电容器有以下几类特性：Y5V、Y5U、X7R特性。 Ⅲ型陶瓷电容器又被称为半导体陶瓷电容器，它是一种利用特殊的显微结构（晶粒或瓷体半导体，晶界或表面绝缘化）来获取巨大的宏观效益的高性能陶瓷电容器，用于制作这类电容器的主要材料有钛酸钡和钛酸锶。这类电容器的结构类型主要有晶界层（BLC）和表面阻挡层（SLC）两种。晶界层陶瓷电容器具有介电常数高（30000～50000），使用频率宽（0～ Hz），温度变化率及介电 损耗相对较小的特点，这种重要的性能优势使晶界层电容器对于优化电子线路、提高电路工作频率特性和温度适用范围、改善整机性能具有重要作用，如容量温度变化率在范围之内、介质损耗小于的晶界层电容器，在技术发达国家被广泛用于各种高性能电子仪器设备中。被晶界层电容器制作的小型大容量穿心电容器应用于电源及微波电路滤波接口时，可增加各种人为或自然的电磁干扰型 号的抑制、消除功能，从而提高军事电子装备的抗电磁干扰能力。 Ⅰ型陶瓷电容器常用来表示温度每变化1℃时介电常数的相对变化率，可用下式表示： 1.???Ⅰ型陶瓷电容器瓷的分类 1.???????值不同的原因 有正、负、零，取决于不同温度下质点的极化程度，也决定于相应温度下单位体积的质点数。 a、? TiO2、CaTiO3 b、? CaSnO3、CaZrO3 c、? BaO·4TiO2 a? TiO2、CaTiO3有强大的局部内电场 Ti4+高价、小半径→离子位移极化→强大的局部内电场→电子位移极化 [TiO6]八面体 Ei↑→ε很大 b? CaSnO3、CaZrO3等以离子位移极化为主. T↑→n↓（距离↑）→ε↓ T↑→V↑（热膨胀）→（r++r-）↑→αa（极化率）按（r++r-）3↑↑→ε↑↑ c? BaO·4TiO2 3.ε的对数混合法则(Lichtenecher公式) 其中 对于n相系统： 由以上法则，在生产实践中，可用具有不同εi、αi材料通过改变浓度比来获得满足各种温度系数要求的材料。如：由αε0 +αε0的瓷料获得αε≈0的瓷料。 4.钛离子变价及防止措施钛原子的电子排布：1s22s22p63s23p63d24s2，4s的能级比3d稍低，3d层的电子容易失去，可为Ti4+、Ti3+、Ti2+，可见Ti4+易被还原（Ti4++e→Ti3+=Ti4+·e[e-弱束缚电子]） 激活能低→0.82~0.84ev，可见光谱上出现的吸收带，因而材料也就显示出与吸收带相对应的补色