光控赝配HEMT静态特性的PSPICE模拟.PDFVIP

第 41 卷 　第 3 期 ( ) Vol. 41 　No. 3 厦门大学学报 自然科学版 　2002 年 5 月 Journal of Xiamen University (Natural Science) May 2002 　 文章编号 (2002) 光控赝配 HEM T 静态特性的 PSPICE 模拟 肖雪芳,傅任武 ,陈　朝 (厦门大学物理学系 ,厦门大学萨本栋微机电研究中心 ,福建 厦门 361005) 摘要 : 提出光敏赝配倒置 HEM T 的静态模型. 该模型是一个四端口的器件 ,其中 P 端口用来处理输入光信号 ,运用 此模型能够模拟不同光功率及光波长下输入光对器件输出电流的影响. 通过 PSPICE 对光敏 PHEM T 的 DC 特性进 行数值模拟 ,得到的数值结果与 Marso 等人的实验数据符合的较好. 关键词 : 光控赝配的 HEM T ; PSPICE 中图分类号: TN 36 文献标识码 :A 　　　　　　　　　　　　　　　 　　HEM T ( High Electron Mobility Transistor) 是 置结构能够更好的将电子束缚在沟道中 ,并使栅更 一种调制掺杂的异质结构场效应晶体管 ,它具有很 接近于 2DEG 沟道 ,使得在相同偏置下 ,和常规的 高的电子迁移率 ,广泛地应用在高频、超高频通信 HEM T 相比 , 具有更大的工作电流. 关于光敏 中. 如果在 HEM T 中增加光吸收层 ,并将光照射其 HEM T 的文献很少 ,它的光敏机理目前还不是完全 ( ) 清楚. 我们对此提出自己的看法 :当光生载流子产生 栅极 ,那么就构成光敏的 photosensitive HEM T 器 件[1 ] . 光敏 HEM T 与一般 HEM T 相比 ,集探测和放 后 ,将在浓度梯度的作用下作扩散运动 ,在电场的作 大能力于一体 ,从而避免了光探测和电放大单片集 用下做漂移运动 ,而其中的一部分将被复合. 在沟道 ( 成时所遇到的各种困难 ,对需要超高速、高灵敏度、 层界面附近 ,有很强的电场. 由于光吸收层很薄 如 ) ( 低噪声的长波长光纤通信来说是极具潜能的新器 图所示为 120 nm ,远小于载流子的扩散长度 达 1 μ ) ( ) ( ) m 量级 ,且在沟道层之上 ,几乎所有的光生载流 件. 赝配 Pseusomorphic HEM T 即 PHEM T 是用 非掺杂的 In GaAs 层代替普通 HEM T 中非掺杂的 ( ) GaAs 层 ,作为 2DEG 二维电子气 沟道 ,形成方势 阱 , 具有双异质结结构. 与普通 HEM T 相比 , PHEM T 具有更高的迁移率、更大的 2DEG 面密度